[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010000961.8 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111162040A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 董洪旺;陈松超;魏君;徐文浩;宋月 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括一半导体衬底；
在所述半导体结构上形成图案化的第一自对准阻挡层，所述第一自对准阻挡层暴露预设自对准区域；所述预设自对准区域为半导体材料；
形成覆盖所述半导体衬底的边缘的第二自对准阻挡层；
在所述预设自对准区域上沉积金属材料，以使所述金属材料与所述预设自对准区域的半导体材料进行反应，形成金属接触区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一自对准阻挡层或所述第二自对准阻挡层的材料包括以下至少之一：二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第二自对准阻挡层的材料与所述第一自对准阻挡层的材料相同或者不同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第二自对准阻挡层的厚度为10-30nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第二自对准阻挡层沿所述半导体衬底径向的宽度范围为5-30mm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述预设自对准区域为外延生长的半导体材料层上的部分区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述预设自对准区域为所述半导体衬底上的部分区域。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体结构上形成图案化的第一自对准阻挡层，包括：
在所述半导体结构上沉积第一自对准阻挡层；
在所述第一自对准阻挡层上形成光刻胶层，所述光刻胶层在所述半导体衬底的边缘处暴露所述第一自对准阻挡层；
对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成图案化的光刻胶层；
以图案化的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一自对准阻挡层，形成图案化的所述第一自对准阻挡层。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第二自对准阻挡层朝向所述第一自对准阻挡层的一侧与所述第一自对准阻挡层的朝向所述第二自对准阻挡层的一侧相接或相重叠。
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