[发明专利]功率因数校正电路及工业机器人在审

专利信息
申请号: 201980101832.3 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN114631254A 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 宗升;范国兴;梁美 申请(专利权)人: ABB瑞士股份有限公司
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42;H02M7/797
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率因数 校正 电路 工业 机器人
【权利要求书】:

1.一种功率因数校正电路(100),包括:

第一和第二AC端子(L、N);

第一和第二DC端子(DC+、DC-);

连接到所述第一AC端子(L)的第一输入电感器(L1);

连接到所述第二AC端子(N)的第二输入电感器(L2);

第一耦合电感器(Lcp1),包括多个第一绕组,所述多个第一绕组中的每一个均包括第二端和连接到所述第一输入电感器(L1)的第一端;

第二耦合电感器(Lcp2),包括数量与所述多个第一绕组相同的多个第二绕组,所述多个第二绕组中的每一个均包括第二端和连接到所述第二输入电感器(L2)的第一端;

功率转换单元(2),包括并联地连接在所述第一和第二DC端子(DC+、DC-)之间的多个支路,所述支路中的每一个均包括高侧和低侧可控半导体器件,其中所述多个第一和第二绕组中的每一个的所述第二端连接到在相应的高侧和低侧可控半导体器件之间的中点(P1、P2、P3、P4、P5、P6);以及

开关电路(3),布置在所述第一和第二AC端子(L、N)与所述第二DC端子(DC-)之间,并且被配置用于抑制所述功率因数校正电路(100)的泄漏电流。

2.根据权利要求1所述的功率因数校正电路(100),其中所述高侧和低侧可控半导体器件中的每一个均包括MOSFET。

3.根据权利要求1所述的功率因数校正电路(100),其中所述开关电路(3)包括:

在所述第一和第二AC端子(L、N)之间串联连接的第一和第二可控双向开关(S1、S2);以及

电容器(Cf),连接在所述第一和第二可控双向开关(S1、S2)之间的连接点(P7)与所述第二DC端子(DC-)之间,

其中在所述第一和第二AC端子(L、N)之间在AC电压(Vac)的正半周期中,所述第一可控双向开关(S1)闭合,并且所述第二可控双向开关(S2)断开,并且

其中,在所述AC电压(Vac)的负半周期中,所述第一可控双向开关(S1)断开,并且所述第二可控双向开关(S2)闭合。

4.根据权利要求1所述的功率因数校正电路(100),其中所述第一()和第二耦合电感器(Lcp1、Lcp2)中的每一个均包括第一和第二绕组(41、42),并且所述第一绕组(41)的所述第二端和所述第二绕组(42)的所述第一端是同名端;以及

其中所述多个支路包括连接到所述第一耦合电感器(Lcp1)的所述第一绕组(41)的第一支路、连接到所述第一耦合电感器(Lcp1)的所述第二绕组(42)的第二支路、连接到所述第二耦合电感器(Lcp2)的所述第一绕组(41)的第三支路以及连接到所述第二耦合电感器(Lcp2)的所述第二绕组(42)的第四支路。

5.根据权利要求4所述的功率因数校正电路(100),其中在所述第一和第二AC端子(L、N)之间在AC电压(Vac)的正半周期中,所述第三和第四支路的所述低侧可控半导体器件(M6、M8)被接通,并且所述第三和第四支路的所述高侧可控半导体器件(M5、M7)被关断,所述第一支路的所述高侧和低侧可控半导体器件(M1、M2)被交替地接通和关断,所述第二支路的所述高侧和低侧可控半导体器件(M3、M4)被交替地接通和关断,并且用于切换所述第一和第二支路的控制信号相移了180度;以及

其中在所述AC电压(Vac)的负半周期中,所述第一和第二支路的高侧可控半导体器件(M1、M3)接通,并且所述第一和第二支路的低侧可控半导体器件(M2、M4)关断,所述第三支路的高侧和低侧可控半导体器件(M5、M6)交替地接通和关断,所述第四支路的高侧和低侧可控半导体器件(M7、M8)交替地接通和关断,并且用于切换所述第三和第四支路的控制信号相移了180度。

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