[发明专利]电压受控的电光串行器/解串器(串行解串器)

权利要求书

1.一种光电发射器，包括：

电光调制器，其被配置为响应于电驱动信号来调制光信号；

数字驱动电路，其被耦合至所述电光调制器并且被配置为生成所述电驱动信号；以及

反馈电路，其被配置为测量指示由所述电光调制器产生的经调制光信号的功率电平的量，并且响应于所测量的量来调整对所述数字驱动电路的供电电压。

2.根据权利要求1所述的发射器，其中所述反馈电路被配置为将对所述数字驱动电路的所述供电电压设置为与所测量的量成反比关系。

3.根据权利要求1或2所述的发射器，其中所述数字驱动电路包括串行器-解串器(SerDes)。

4.根据权利要求1或2所述的发射器，其中所述反馈电路包括功率检测器，所述功率检测器被配置为从所述光调制器接收所述经调制光信号的一部分，并且通过测量与所述部分的光功率电平的平方根成比例的光电流来测量所述量。

5.一种光电发射器制作方法，所述方法包括：

制作电光调制器，用于响应于电驱动信号来调制光信号；

制作数字驱动电路，用于生成所述电驱动信号；以及

制作反馈电路，并且将所述反馈电路连接在所述电光调制器与所述驱动电路之间，用于测量指示由所述电光调制器产生的经调制光信号的功率电平的量，并且用于响应于所测量的量来调整对所述数字驱动电路的供电电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其中制作所述电光调制器包括在半导体芯片的后段制程(BEOL)层中实现所述电光调制器，其中制作所述数字驱动电路包括在所述半导体芯片的前段制程(FEOL)层中实现串行器-解串器SerDes，并且包括通过所述半导体芯片中的通孔将所述SerDes耦合至所述电光调制器。

7.根据权利要求5所述的方法，其中制作所述反馈电路包括实现将光功率检测器耦合至模数转换器ADC。

8.根据权利要求7所述的方法，其中制作所述光功率检测器包括在半导体芯片的前段制程(FEOL)层中实现所述光功率检测器并且使用贯穿BEOL的光学连接将所述光功率检测器耦合至所述电光调制器的输出。

9.根据权利要求7所述的方法，其中制作所述反馈电路包括在半导体芯片的前段制程(FEOL)层中实现所述ADC，并且在所述半导体芯片外部实现所述光功率检测器。

10.根据权利要求7所述的方法，其中制作所述反馈电路包括在其上制作有所述电光调制器的半导体芯片的外部实现所述ADC和所述光功率检测器。

11.一种光电发射器的控制方法，所述方法包括：

使用数字驱动电路生成电驱动信号；

使用所述电驱动信号调制光信号；

测量指示经调制光信号的功率电平的量；以及

响应于所测量的量来调整对所述数字驱动电路的供电电压。

12.根据权利要求11所述的方法，其中调整所述供电电压包括将所述供电电压设置为与所测量的量成反比关系。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中测量所述量包括：接收经调制光信号的一部分并且测量与所述部分的光功率电平成比例的光电流。