[发明专利]在连续导电模式下具有预偏置启动的基于校准的纹波注入的恒定导通时间降压转换器在审
申请号: | 201980098453.3 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN114208011A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | V·M·K·马拉;S·P·R·塔拉里;I·斯托伊奇塔;M·翁 | 申请(专利权)人: | 微芯片技术股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 蔡悦 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 导电 模式 具有 偏置 启动 基于 校准 注入 恒定 时间 降压 转换器 | ||
1.一种用于降压转换器的恒定导通时间控制器,所述控制器包括:
脉宽调制器(PWM)比较器,所述脉宽调制器比较器生成导通时间请求;
误差放大器,所述误差放大器将平均反馈电压调节到内部基准电压,并且将反馈节点纹波信号传递到所述PWM比较器的输入端;
导通时间发生器,所述导通时间发生器输出导通时间信号,所述导通时间信号基于所述导通时间请求来控制所述降压转换器的导通时间;
MOSFET驱动器,所述MOSFET驱动器基于所述导通时间发生器的所述输出来驱动所述降压转换器;和
注入信号发生器,所述注入信号发生器耦接到所述导通时间发生器,所述注入信号发生器包括第一开关和第二开关、固定信号发生器以及偏置电流源;
其中所述第一开关耦接到所述第二开关;
其中所述第一开关和所述第二开关耦接到所述固定信号发生器,并且耦接到所述注入信号发生器的输出端;
其中所述偏置电流源耦接在所述第一开关和所述第二开关与所述注入信号发生器的所述输出端之间;并且
其中所述误差放大器基于所述注入信号发生器的输出来接收反馈电压。
2.根据权利要求1所述的控制器,其中所述注入信号发生器还包括与门,所述与门包括输出端、第一输入端和第二输入端,所述输出端耦接到所述第二开关,所述第一输入端经由反相器耦接到所述固定信号发生器,所述第二输入端耦接到从所述PWM比较器接收所述导通时间请求的触发器。
3.根据权利要求2所述的控制器,其中所述触发器包括输入端子、时钟端子和清零端子,所述输入端子耦接到供电电压,所述时钟端子耦接到所述PWM比较器的所述输出端,所述清零端子耦接到所述控制器的使能信号。
4.根据权利要求1所述的控制器,其中所述偏置电流源为恒定偏置电流源。
5.根据权利要求1所述的控制器,其中所述偏置电流源为基于所述反馈电压来输出偏置电流的自适应偏置电流源。
6.根据权利要求5所述的控制器,其中基于所述反馈电压与基准电压的比较来生成所述偏置电流。
7.一种设备,包括:
降压转换器功率级;
控制器,所述控制器耦接到所述降压转换器功率级;和
纹波电压电路,所述纹波电压电路耦接到降压转换器功率级输出端和所述控制器;其中所述控制器包括:
脉宽调制器(PWM)比较器,所述脉宽调制器比较器生成导通时间请求并且耦接到所述控制器的反馈端子;
导通时间发生器,所述导通时间发生器输出导通时间信号,所述导通时间信号基于所述导通时间请求来控制所述降压转换器的导通时间;
MOSFET驱动器,所述MOSFET驱动器基于所述导通时间发生器的所述输出来驱动所述降压转换器;和
注入信号发生器,所述注入信号发生器耦接到所述导通时间发生器,所述注入信号发生器包括第一开关和第二开关、固定信号发生器以及偏置电流源;
其中所述第一开关耦接到所述第二开关;
其中所述第一开关和所述第二开关耦接到所述固定信号发生器,并且耦接到所述注入信号发生器的输出端;
其中所述偏置电流源耦接在所述第一开关和所述第二开关与所述注入信号发生器的所述输出端之间;并且
其中所述PWM比较器基于所述注入信号发生器的输出来接收反馈电压;
其中所述纹波电压电路包括注入电阻器、注入电容器和偏置电阻器;
其中所述注入电阻器包括第一端子和第二端子,所述第一端子耦接到所述注入信号发生器的所述输出端,所述第二端子耦接到所述注入电容器;
其中所述偏置电阻器包括第一端子和第二端子,所述第一端子耦接到所述注入电阻器的所述第一端子,所述第二端子接地;并且
其中所述注入电容器包括第一端子和第二端子,所述第一端子耦接到所述注入电阻器的所述第二端子,所述第二端子耦接到所述控制器的所述反馈端子。
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