[发明专利]半导体装置及电力转换装置在审
申请号: | 201980098234.5 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN114072903A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 大宅大介 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 电力 转换 | ||
1.一种半导体装置,其具有:
基座板;
绝缘基板,其具有以不经由焊料层的方式与所述基座板的上表面一体地接合的陶瓷板和在所述陶瓷板的上表面设置的电路图案;
半导体元件,其搭载于所述电路图案的上表面;
壳体,其在所述基座板之上将所述绝缘基板及所述半导体元件围绕;
粘接剂,其将所述壳体的下部与所述陶瓷板的外周部粘接;以及
封装材料,其将所述壳体的内部封装,
所述粘接剂从所述陶瓷板的外周端至所述电路图案的外周端地与它们接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述粘接剂的绝缘击穿电压大于所述封装材料的绝缘击穿电压。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
所述粘接剂还与所述电路图案的上表面的周缘部接触。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,
所述壳体的下端与所述基座板的上表面接触。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,
所述壳体的下端与所述基座板的上表面局部地接触。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,
所述半导体元件包含宽带隙半导体。
7.一种电力转换装置,其具有:
主转换电路,其具有权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,该主转换电路对输入进来的电力进行转换而输出;以及
控制电路,其将对所述主转换电路进行控制的控制信号输出至所述主转换电路。
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