[发明专利]用于存储器组件的电压或电流检测器

说明书

本公开涉及用于存储器管理的设备和方法，并且更具体地涉及用于耦合到主机装置或片上系统的非易失性存储器组件的电压或电流检测器。所述存储器组件包含存储器控制器并且包括电压或电流检测器，所述电压或电流检测器包含：比较器，所述比较器在电压输入上接收电压值Vx；数模转换器，所述数模转换器耦合到基准电压电位并且具有连接到所述比较器的其它输入的输出；有限状态机，所述有限状态机接收所述比较器的所述输出并且针对所述存储器控制器的所述输入产生数字输出；电流电压转换器，所述电流电压转换器接收待检测的电流值Ix作为输入并且具有连接到所述有限状态机的输出。

技术领域

本公开总体上涉及用于存储器管理的设备和方法，并且更具体地涉及用于耦合到主机装置或片上系统的非易失性存储器组件的电压或电流检测器。

背景技术

非易失性闪存如今是现代电子系统中的基础结构单元之一，包含用于汽车应用，尤其是用于实时操作系统(RTOS)的SoC装置。其在速度、消耗、可变性、非易失性和系统可重构性日益重要等方面的性能已经推动了片上系统(SoC)装置中闪存集成的发展。

然而，在当前技术的情况下，嵌入式存储器部分正在成为SoC中最大的电路部分，并且不适合将其大小增加到128Mbit以上，因为当光刻节点低于28nm时，很难管理整个嵌入式存储器结构。

在许多应用中，非常期望扩大存储器部分的大小，但有必要提供一种耦合SoC和嵌入式或相关联的存储器组件的新方式。此外，有必要提供一种在SoC的存储器部分与控制器之间交换信号和测量值的更有效的方式。

附图说明

-图1是用于根据现有技术解决方案实现的存储器组件的已知数字电压检测器的示意图；

图2分别示出了报告受噪声影响的电压值Vx和更规则且更稳定的值的量度的第一图表和第二图表；

图3是根据本公开的电压检测器的第一实施例的示意图；

图4是示出用图3的检测器获得的电压值Vx的量度的图表；

图5是根据本公开的电流检测器的实施例的示意图；

图6是示出用图3的检测器获得的电流值Ix的量度的图表。

具体实施方式

存储器装置通常以内部半导体集成电路和/或外部可移除装置的形式设置于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器和非易失性存储器。包含随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器可能需要施加电力的电源以维护其数据。相比之下，非易失性存储器即使在没有外部供电的情况下也可以保持其存储的数据。

非易失性存储器可用于多种技术，包含闪存(例如，NAND和NOR)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和电阻可变存储器(如相变随机存取存储器(PCRAM))、基于自选硫属化合物的存储器、电阻式随机存取存储器(RRAM)、3D XPoint存储器(3DXP)和磁阻式随机存取存储器(MRAM)等。

存储器装置可以包含用于存储数据的大型存储器格阵列，所述存储器格阵列通常组织成行和列。单独的存储器格和/或存储器格范围可以通过其行和列来寻址。当对存储器阵列进行寻址时，可能存在一或多个用于例如在主机装置所利用的逻辑地址与对应于存储器阵列中的位置的物理地址之间进行转换的地址转换层。

对于存储器阵列的常规操作，有必要向存储器提供测量电压和电流值以管理存储器单元的读取、写入和擦除阶段。

例如，考虑耦合到主机装置或关联到SoC并包含一些与SoC共享的电路块的闪存装置，例如用于实施提取/预取方案和-或分支预测的读取逻辑。