[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法以及电力变换装置在审
| 申请号: | 201980096496.8 | 申请日: | 2019-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN113841235A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
| 发明(设计)人: | 原田耕三;盐田裕基 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/40 | 分类号: | H01L23/40;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 金春实 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 模块 制造 方法 以及 电力 变换 装置 | ||
1.一种半导体模块,具备:
散热构件,具有主表面;
半导体封装体,被配置于所述主表面上,包括半导体元件;
连接构件,位于所述散热构件与所述半导体封装体之间,并且将所述散热构件与所述半导体封装体连接,包含树脂成分;以及
限制构件,以包围所述连接构件的方式被配置于所述主表面上,
在与所述主表面垂直的方向上,所述限制构件的顶部的位置与所述连接构件中的所述半导体封装体侧的表面的外周部的位置相比远离所述主表面。
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
在所述主表面,在位于所述限制构件之下的区域形成有槽部,
所述限制构件的一部分位于所述槽部的内部。
3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
在所述主表面,在位于所述限制构件和所述连接构件之下的区域形成有凹部,
所述限制构件的一部分和所述连接构件位于所述凹部的内部。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体模块,其中,
所述半导体封装体包括与所述限制构件的所述顶部接触的推压部。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
构成所述限制构件的材料包括弹性体。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体模块,其中,
所述限制构件的相对介电常数大于所述连接构件的相对介电常数。
7.一种电力变换装置,具备:
主变换电路,具有权利要求1所述的半导体模块,该主变换电路将被输入的电力进行变换后输出;以及
控制电路,将控制所述主变换电路的控制信号输出到所述主变换电路。
8.一种半导体模块的制造方法,具备以下工序:
准备具有主表面的散热构件的工序;
在所述主表面上配置包含树脂成分的连接构件的工序;
在所述主表面上以包围所述连接构件的方式配置限制构件的工序;
在所述连接构件上配置包括半导体元件的半导体封装体的工序;以及
一边将所述半导体封装体向所述连接构件侧推压一边对所述连接构件进行加热,由此利用所述连接构件将所述散热构件与所述半导体封装体连接的工序。
9.根据权利要求8所述的半导体模块的制造方法,其中,
配置所述限制构件的工序包括以下工序:
在所述主表面上配置应该成为所述限制构件的液体的工序;以及
通过将所述液体进行固化来形成所述限制构件的工序。
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