[发明专利]具有浪涌电流稳定性的肖特基整流器及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基整流器器件，包括：

碳化硅SiC层；

形成在所述SiC层上的第一导电类型的沟道区域；

形成在所述沟道区域上的金属接触部；和

形成在所述沟道区域内并从所述金属接触部沿所述SiC层的方向延伸的第二导电类型的多层本体，所述多层本体包括与所述金属接触部相邻且具有第一掺杂浓度的第一层、与所述第一层相邻且具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二层、以及与所述第二层相邻且具有小于所述第二掺杂浓度的第三掺杂浓度的第三层。

2.根据权利要求1所述的肖特基整流器器件，其中所述第二层具有至少2x10¹⁴cm^-2的有效Gummel数。

3.根据权利要求1所述的肖特基整流器器件，其中所述第二层具有介于1x10¹⁸cm^-3至1x10¹⁹cm^-3之间的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的肖特基整流器器件，其中所述第一层为简并掺杂并在所述金属接触部和所述第二层之间提供隧道接触。

5.根据权利要求1所述的肖特基整流器器件，其中所述多层本体延伸所述金属接触部与所述SiC衬底之间的距离的至少30％。

6.根据权利要求1所述的肖特基整流器器件，其中所述金属接触部在所述肖特基整流器器件的有源区域上延伸，所述有源区域包括所述沟道区域和所述多层本体，所述肖特基整流器器件还包括：

p-n二极管边缘，其用第二导电类型的连续本体和平行于所述多层本体的第二导电类型的深边缘本体阵列包围所述有源区域。

7.一种用于制造肖特基整流器器件的方法，包括：

形成碳化硅SiC衬底；

在所述SiC衬底上形成第一导电类型的外延层；

在所述外延层上形成掩膜层；

通过所述掩膜层进行第二导电类型施主的离子注入，从而形成电荷平衡本体的一部分；

去除所述掩膜层；

重复所述外延层的形成和掩膜离子注入，直到所述电荷平衡本体达到指定厚度；

在所述电荷平衡本体上形成注入层，所述注入层具有第二导电类型的掺杂浓度，所述第二导电类型的掺杂浓度高于所述电荷平衡本体的掺杂浓度；

在所述注入层上形成接触层；和

在所述接触层和所述外延层上形成金属接触部。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述接触层、所述注入层和所述电荷平衡本体延伸从所述金属接触部到所述SiC衬底之间的距离的至少30％。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述掺杂接触层具有高于所述注入层的掺杂浓度的掺杂浓度。

10.一种肖特基整流器器件，包括：

碳化硅SiC层；

形成在所述SiC层上的第一导电类型的沟道区域；

形成在所述沟道区域上的金属接触部；和

形成在所述沟道区域内并从所述金属接触部沿所述SiC层的方向延伸的第二导电类型的多层本体，所述多层本体包括与所述金属接触部相邻的隧道接触层、与第一层相邻的注入层和与第二层相邻的深层，

其中所述多层本体延伸所述金属接触部与所述SiC层之间的距离的至少30％。