[发明专利]基板处理装置、反应容器、半导体器件的制造方法以及记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

反应容器，其供具有支承基板的基板支承区域的基板支承工具以及设于所述基板支承区域的下部的隔热部插入，在所述反应容器的内壁的与所述基板支承区域相对置的部分的下侧配置有朝向所述反应容器的内侧突出的突出部的端部；以及

向所述基板供给处理气体的气体供给部。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部构成为所述突出部的下端底面与所述隔热部的外侧上表面相对置。

3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部的下端底面构成为与所述隔热部的外侧上表面平行。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述隔热部的直径构成为比所述基板支承工具的直径大。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部和所述隔热部以利用所述突出部的下端底面与所述隔热部的外侧上表面之间的空间构成气体流路的方式构成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部的下端底面与所述隔热部的外侧上表面之间的距离构成为比所述突出部的内表面与所述隔热部的侧面之间的距离短。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部的下端底面与所述隔热部的外侧上表面之间的距离构成为比所述隔热部的侧面与所述反应容器的所述突出部的下侧的内壁之间的距离短。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

在由所述突出部的下端底面与所述隔热部的外侧上表面之间的空间构成的气体流路设有迷宫构造。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部所处的所述反应容器的外壁和与所述突出部相比位于下侧的所述反应容器的外壁构成为同一面。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部所处的所述反应容器的外径和与所述突出部相比位于下侧的所述反应容器的外径相同。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部所处的所述反应容器的壁的厚度比与所述突出部相比位于下侧的所述反应容器的壁的厚度厚。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部所处的所述反应容器的内壁构成为比与所述突出部相比位于下侧的所述反应容器的内壁更接近所述基板的缘。

13.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部所处的所述反应容器的外径与与所述突出部相比位于下侧的所述反应容器的外径小。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部在所述反应容器的内壁的整周上设置。

15.根据权利要求1～13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述反应容器内形成有处理基板的处理室、以及供所述气体供给部配置的预备室，

所述突出部具备设于所述反应容器的内周的第一突出部；以及

设于将所述处理室和所述预备室连通的开口的第二突出部。