[发明专利]用于差分电流注入的方法、系统、设备在审
| 申请号： | 201980093209.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113574750A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | M·坎斯卡;陈之纲 | 申请（专利权）人： | 恩耐公司 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电流 注入 方法 系统 设备 | ||
1.一种激光二极管，包括：
横向波导，所述横向波导包括位于所述横向波导的n侧上的n型半导体层和所述横向波导的p侧上的p型半导体层之间的有源层，其中，所述横向波导在所述n侧上由较低指数的n包覆层定界，且在所述p侧上由较低指数的p包覆层定界；
腔，所述腔与所述横向波导正交，其中，所述腔在纵向方向上在第一端由高反射器(HR)小面定界并且在第二端处由部分反射器(PR)小面定界；以及
第一触点层，所述第一触点层被配置成改变在所述纵向方向上注入所述腔内的电流量，以便在所述第一端处注入比在所述第二端处更多的电流。
2.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，所述第一触点层被布置在所述横向波导的n侧上。
3.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，所述第一触点层被布置在所述横向波导的p侧上。
4.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，所述第一触点层包括基本均匀的厚度。
5.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，所述第一触点层包括从所述第一端到所述第二端纵向增大的材料厚度梯度。
6.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，所述第一触点层包括从所述第一端到所述第二端纵向增大的电阻梯度。
7.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，所述第一触点层包括从所述第一端到所述第二端纵向减小的触点材料表面积梯度。
8.根据权利要求7所述的激光二极管，其中，所述第一触点层包括掺杂剂。
9.根据权利要求8所述的激光二极管，其中，所述第一触点层被高度掺杂。
10.根据权利要求8所述的激光二极管，其中，在所述第一触点层下方的所述n包覆层被适度掺杂。
11.根据权利要求8所述的激光二极管，其中，在所述第一触点层下方的所述p包覆层被适度掺杂。
12.根据权利要求7所述的激光二极管，其中，所述触点材料表面积梯度包括触点图案。
13.根据权利要求12所述的激光二极管，其中，所述触点图案包括多个分立触点，并且被配置成通过所述多个分立触点中的不同触点之间的触点表面积大小变化来分级电流注入，其中，所述分立触点的表面积从所述第一端到所述第二端纵向地减小。
14.根据权利要求12所述的激光二极管，其中，所述触点图案包括连续形状，所述连续形状被配置成从所述第一端到所述第二端纵向地逐渐减小触点材料表面积分布。
15.根据权利要求1所述的激光二极管，其中，所述第一触点层包括具有降低的导电特性的金属合金。
16.根据权利要求7所述的激光二极管，其中，所述激光二极管进一步包括与所述第一触点层相对布置并且包括不同的触点图案的第二触点层。
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