[发明专利]光谱边缘检测在审
| 申请号: | 201980092960.6 | 申请日: | 2019-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN113474638A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
| 发明(设计)人: | J·R·库柏 | 申请(专利权)人: | 瑞尔赛特股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 郭万方 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光谱 边缘 检测 | ||
1.一种分析样品的方法,所述样品包括具有第一发射光谱的第一检测基团,所述第一发射光谱在峰值强度波长处具有峰值发射强度,在小于峰值强度波长的波长处具有发射强度小于峰值强度的光谱前缘,并且在大于峰值强度波长的波长处具有发射强度小于峰值强度的光谱后缘,所述方法包括:
在用激发光刺激所述样品的同时用成像设备在所述第一发射光谱的第一发射波长处获取所述样品的第一原始图像,其中所述第一原始图像包括第一总信号,所述第一总信号包括在所述第一发射波长处的第一检测基团信号;
在用激发光刺激所述样品的同时用所述成像设备在所述第一发射光谱的第二发射波长处获取所述样品的第二原始图像,其中所述第二原始图像包括第二总信号,所述第二总信号包括在所述第二发射波长处的第一检测基团信号;以及
使用处理器基于所述第一原始图像和第二原始图像输出所述第一检测基团的最终图像,
其中所述第一发射波长位于所述第一发射光谱的光谱前缘或者位于所述第一发射光谱的光谱后缘。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第二发射波长位于所述第一发射光谱的峰值强度,并且其中所述第一发射波长处的发射强度小于所述第二发射波长处的发射强度。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述第二发射波长与所述第一发射波长位于所述第一发射光谱的相同光谱边缘,并且其中所述第一发射波长处的发射强度小于所述第二发射波长处的发射强度。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述第二发射波长与所述第一发射波长位于所述第一发射光谱的不同光谱边缘,并且其中所述第一发射波长处的发射强度小于所述第二发射波长处的发射强度。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述第二发射波长与所述第一发射波长位于所述第一发射光谱的不同光谱边缘,并且其中所述第一发射波长处的发射强度与所述第二发射波长处的发射强度相同。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述第一总信号和所述第二总信号中的至少一个还包括由自发荧光或背景引起的信号。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述样品还包括具有第二发射光谱的第二检测基团,所述第二发射光谱在峰值强度波长处具有峰值发射强度,在小于峰值强度波长的波长处具有发射强度小于峰值强度的光谱前缘,并且在大于峰值强度波长的波长处具有发射强度小于峰值强度的光谱后缘;并且其中所述第一总信号和所述第二总信号中的至少一个还包括由第二检测基团引起的信号。
8.如权利要求7所述的方法,还包括使用所述处理器基于所述第一原始图像和第二原始图像输出所述第二检测基团的最终图像。
9.如权利要求7所述的方法,其中获取所述第一原始图像的所述第一发射波长位于所述第二发射光谱的光谱前缘或光谱后缘,其中获取所述第二原始图像的所述第二发射波长位于所述第二发射光谱的与所述第一发射波长相同的光谱前缘或相同后缘,并且其中所述第二发射光谱对于所述第一发射波长具有比对于所述第二发射波长低的发射强度。
10.如权利要求9所述的方法,还包括在用激发光刺激所述样品的同时用所述成像设备在所述第二发射光谱的第三发射波长处获取所述样品的第三原始图像,其中所述第三发射波长位于所述第二发射光谱的峰值强度波长,并且其中所述第三原始图像包括第三总信号,所述第三总信号包括在所述第二检测基团的峰值强度波长处的第二检测基团信号。
11.如权利要求10所述的方法,还包括使用所述处理器基于所述第一原始图像、第二原始图像和第三原始图像中的至少两个输出所述第二检测基团的最终图像。
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