[发明专利]阴极电弧引弧装置在审
申请号: | 201980092490.3 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN113454751A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 西格弗里德·克拉斯尼策;于尔格·哈格曼;安德烈亚斯·彼得·特雷霍尔茨;多米尼克·埃尔温·威德默 | 申请(专利权)人: | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C14/32 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 刘聪 |
地址: | 瑞士苏黎世*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阴极 电弧 装置 | ||
1.一种用于将靶材阴极电弧沉积到基材上的引弧装置,该引弧装置包括:
触发指,其活动布置在接触位置与静止位置之间,
其中,在该接触位置中该触发指能物理接触相邻靶的侧表面,而在该静止位置中所述相邻靶不能被该触发指接触,
其中,在靶材的阴极电弧沉积期间,该触发指如此活动布置在所述接触位置与静止位置之间,即,能将该触发指在靶材阴极电弧沉积期间的被沉积的靶材的污染减至最小。
2.根据权利要求1所述的引弧装置,
其中,该引弧装置包括外壳,该引弧装置至少部分位于该外壳中,
其中,该外壳能安置在可相邻布置的真空室之外。
3.根据权利要求1或2所述的引弧装置,
其中,该引弧装置包括致动器,其用于使该触发指在所述接触位置与静止位置之间移动,
其中,该触发指能在所述接触位置与静止位置之间通过该致动器在不到50ms的时间内,优选在50ms和20ms之间,更优选在20ms和10ms之间的时间内被移动。
4.根据前述权利要求之一所述的引弧装置,其中,该致动器被设计成使该触发指能在至多200μs,优选至多150μs,特别是至多在150μs到100μs之间的时间之后离开所述接触位置。
5.根据前述权利要求之一所述的引弧装置,其中,该引弧装置包括限流部件,其将在接触步骤期间的电流限制到小于5A的值,优选限制到在2A和5A之间的值。
6.根据前述权利要求之一所述的引弧装置,
其中,该引弧装置包括杆,其具有第一端和对置的第二端,
其中,优选地,所述第一端位于可相邻布置的室内并且所述第二端位于该外壳内。
7.根据前述权利要求之一所述的引弧装置,其中,该致动器设置用于在该触发指的轴向上线性移动该触发指。
8.根据前述权利要求之一所述的引弧装置,其中,该引弧装置还包括弹簧,其将该触发指移动到该静止位置。
9.根据前述权利要求之一所述的引弧装置,其中,该致动器是电磁致动器。
10.根据前述权利要求之一所述的引弧装置,其中,该触发指至少部分由钨构成。
11.一种用于将材料阴极电弧沉积到基材上的组件,该组件包括:
根据前述权利要求之一所述的引弧装置,
用于容纳待涂覆基材的室,该室被抽真空至低于大气压的预定压力;
安置在该室内的阴极背侧支承;
邻近该阴极背侧支承板安置的靶,该靶具有背向该阴极背侧支承的第一表面、与所述第一表面间隔开且面向该阴极背侧支承的第二表面以及连接所述第一表面和第二表面的侧表面,其中,等离子体材料将从所述第一表面被喷射出;
安置在该室内且与该靶间隔开的阳极,
其中,在该接触位置中该引弧装置的触发指物理接触该靶的所述侧表面,并且在该静止位置中该触发指未接触该靶。
12.根据权利要求11所述的组件,其中,该阳极向外地与该靶的第一表面间隔开。
13.根据权利要求11或12所述的用于将材料阴极电弧沉积到基材上的组件,其中,该组件还包括限制件,用于保护该触发指以免被沉积材料污染。
14.根据权利要求13所述的用于将材料阴极电弧沉积到基材上的组件,其中,所述限制件安置在所述室内并且具有在其中形成的凹槽。
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