[发明专利]包括存储器的流体喷射设备

权利要求书

1.一种用于流体喷射设备的集成电路，所述流体喷射设备包括多个流体致动设备，所述集成电路包括：

ID线；

控制线；

放电路径；

存储器元件，所述存储器元件电耦接到所述控制线和所述放电路径；

第一锁存器，所述第一锁存器电耦接在所述ID线与所述放电路径之间，所述第一锁存器响应于所述ID线上的第一逻辑电平而禁用所述放电路径，并且响应于所述ID线上的第二逻辑电平而启用所述放电路径；以及

第二锁存器，所述第二锁存器响应于所述ID线上的所述第一逻辑电平而启用所述存储器元件，并且响应于所述ID线上的所述第二逻辑电平而禁用所述存储器元件。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一锁存器包括反相器，所述反相器用于将所述ID线上的逻辑电平反相。

3.如权利要求1或2所述的集成电路，还包括：

第一晶体管，所述第一晶体管电耦接在所述存储器元件与公共节点之间。

4.如权利要求3所述的集成电路，其中，所述放电路径包括第二晶体管，所述第二晶体管具有电耦接在所述第一晶体管的栅极与所述公共节点之间的源极-漏极路径。

5.如权利要求4所述的集成电路，还包括：

第一选择线；以及

第二选择线，

其中，所述第一锁存器包括：

第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管串联电耦接在所述第二晶体管的栅极与所述公共节点之间，所述第三晶体管的栅极电耦接到所述ID线，并且所述第四晶体管的栅极电耦接到所述第二选择线；以及

第五晶体管，所述第五晶体管具有电耦接在所述第一选择线与所述第二晶体管的栅极之间的源极-漏极路径，并且所述第五晶体管的栅极电耦接到所述第一选择线。

6.如权利要求3所述的集成电路，还包括：

解码器，所述解码器电耦接到所述第一晶体管的栅极，所述解码器用于接收地址，并且响应于所述地址而导通所述第一晶体管。

7.如权利要求6所述的集成电路，其中，所述解码器用于接收数据，并且响应于所述数据和所述地址而导通所述第一晶体管。

8.如权利要求1至2中任一项所述的集成电路，其中，所述存储器元件包括非易失性存储器元件。

9.如权利要求1至2中任一项所述的集成电路，还包括：

另外的放电路径，所述另外的放电路径响应于所述ID线上的第一逻辑电平而被启用，并且响应于所述ID线上的第二逻辑电平而被禁用；以及

流体致动设备，所述流体致动设备电耦接到所述控制线和所述另外的放电路径。

10.一种用于流体喷射设备的集成电路，所述流体喷射设备包括多个流体致动设备，所述集成电路包括：

ID线；

控制线；

存储器元件；

第一开关，所述第一开关电耦接在所述控制线与所述存储器元件之间；

第一锁存器，所述第一锁存器响应于所述ID线上的第一逻辑电平而禁用所述存储器元件的放电，并且响应于所述ID线上的第二逻辑电平而启用所述存储器元件的放电以及

第二锁存器，所述第二锁存器电耦接在所述ID线与所述第一开关之间，所述第二锁存器响应于所述ID线上的所述第一逻辑电平而启用所述第一开关，并且响应于所述ID线上的所述第二逻辑电平而禁用所述第一开关。

11.如权利要求10所述的集成电路，其中，所述第二锁存器包括缓冲器。

12.如权利要求10或11所述的集成电路，其中，所述第一开关包括第一晶体管。