[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板在审
申请号: | 201980091249.9 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN113396132A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社 |
主分类号: | C03C10/14 | 分类号: | C03C10/14;C03C3/083;C03C21/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨青;安翔 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 化学 强化 半导体 支撑 | ||
1.一种微晶玻璃,其为换算成厚度0.7mm时的可见光透射率为85%以上的微晶玻璃,其中,
所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的雾度值为1.0%以下,并且
以氧化物基准的质量%计,所述微晶玻璃含有:
45%~70%的SiO2、
1%~15%的Al2O3、和
10%~25%的Li2O。
2.如权利要求1所述的微晶玻璃,其中,以氧化物基准的质量%计,K2O的含量为5%以下。
3.如权利要求1或2所述的微晶玻璃,其中,所述微晶玻璃含有偏硅酸锂晶体。
4.如权利要求1~3中任一项所述的微晶玻璃,其中,所述微晶玻璃含有磷酸锂晶体。
5.如权利要求3或4所述的微晶玻璃,其中,在所述微晶玻璃含有二硅酸锂晶体的情况下,由该晶体的X射线衍射峰宽通过Scherrer式求出的晶体直径为45nm以下。
6.如权利要求1~5中任一项所述的微晶玻璃,其中,所述微晶玻璃的玻璃化转变温度与具有相同玻璃组成的非晶玻璃的玻璃化转变温度之差为200℃以下。
7.如权利要求1~6中任一项所述的微晶玻璃,其中,所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的雾度值为0.4%以下。
8.一种半导体支撑基板,其包含权利要求1~7中任一项所述的微晶玻璃。
9.一种化学强化玻璃,其为在表面具有压应力层的化学强化玻璃,其中,
所述化学强化玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率为85%以上,并且换算成厚度0.7mm时的雾度值为0.5%以下,
所述化学强化玻璃的表面压应力值为500MPa以上并且压应力层深度为80μm以上,并且
所述化学强化玻璃为微晶玻璃,以氧化物基准的质量%计,所述微晶玻璃含有:
45%~70%的SiO2、
1%~15%的Al2O3、和
10%~25%的Li2O。
10.如权利要求9所述的化学强化玻璃,其中,所述化学强化玻璃含有偏硅酸锂晶体。
11.如权利要求10所述的化学强化玻璃,其中,所述化学强化玻璃含有磷酸锂晶体。
12.如权利要求9~11中任一项所述的化学强化玻璃,其中,所述化学强化玻璃的从表面起算的深度为50μm处的压应力值为100MPa以上。
13.如权利要求9~12中任一项所述的化学强化玻璃,其中,所述化学强化玻璃在50℃~350℃的范围内的平均热膨胀系数为90×10-7/℃~140×10-7/℃。
14.如权利要求9~13中任一项所述的化学强化玻璃,其中,所述化学强化玻璃的维氏硬度为600以上。
15.一种半导体支撑基板,其包含权利要求9~14中任一项所述的化学强化玻璃。
16.一种电子设备,其包含权利要求9~14中任一项所述的化学强化玻璃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AGC株式会社,未经AGC株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980091249.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于过滤器的装置、系统和方法
- 下一篇:用于艺术内容的激励评价的方法和系统