[发明专利]具有内置奇模振荡抑制的阻抗元件

权利要求书

1.一种用于功率放大器（32）的晶体管封装（10），所述晶体管封装（10）包括：

多个射频RF路径（12），所述多个射频RF路径（12）包括第一RF路径（12）和第二RF路径（12），每个RF路径（12）包括：

晶体管承载管芯（14）；以及

至少一个阻抗元件（16）；以及

电路部分，所述电路部分将所述第一RF路径（12）中的第一阻抗元件（16）电耦合到所述第二RF路径（12）中的第二阻抗元件（16），所述电路部分包括至少一个电阻器（24）。

2.根据权利要求1所述的晶体管封装（10），其中所述至少一个电阻器（24）被配置成抑制与所述第一RF路径（12）和所述第二RF路径（12）相关联的奇模信号分量。

3.根据权利要求1至2中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述至少一个电阻器（24）至少包括第一电阻器（24）和第二电阻器（24），所述第一电阻器（24）被电耦合到所述第一阻抗元件（16），所述第二电阻器（24）被电耦合到所述第二阻抗元件（16），并且所述第一电阻器（24）和所述第二电阻器（24）彼此电耦合。

4.根据权利要求1至2中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述至少一个电阻器（24）至少包括第一电阻器（24）和第二电阻器（24），所述第一电阻器（24）与所述第一阻抗元件（16）集成在一起，所述第二电阻器（24）与所述第二阻抗元件（16）集成在一起，并且所述第一电阻器（24）和所述第二电阻器（24）彼此电耦合。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述电路部分包括以下当中的至少一个：

至少一个电抗元件；以及

至少一个传输线。

6.根据权利要求3至4中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述电路部分包括电感元件（18），所述第一电阻器（24）通过所述电感元件（18）被电耦合到所述第二电阻器（24）。

7.根据权利要求3至4中的任一项所述的晶体管封装，其中所述电路部分使用至少一个接合线（18）将所述第一RF路径（12）中的所述第一阻抗元件（16）电耦合到所述第二RF路径（12）中的所述第二阻抗元件（16）。

8.根据权利要求6至7中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述电路部分包括电容器（26、30），所述第一电阻器（24）和所述第二电阻器（24）通过所述电容被电耦合到接地。

9.根据权利要求6至7中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述电路部分包括电容器（26、30），所述电容器（26、30）将所述第一RF路径（12）中的所述第一阻抗元件（16）电耦合到所述第二RF路径（12）中的所述第二阻抗元件（16）。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述阻抗元件（16）是金属氧化物半导体电容器MOSCAP、金属绝缘体金属电容器MIMCAP和集成无源器件IPD当中的一个。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述第一RF路径（12）具有的输入和输出与所述第二RF路径（12）的输入和输出是分隔开的。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述至少一个阻抗元件（16）对应于多个阻抗元件（16）。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的晶体管封装（10），其中所述多个RF路径包括除所述第一RF路径和所述第二RF路径之外还有的至少一个RF路径。