[发明专利]具有双晶体管竖直存储器单元的存储器装置

说明书

一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含存储器单元、第一、第二和第三数据线及第一和第二存取线。所述第一数据线电耦合到第一晶体管的第一沟道区。所述第二数据线电耦合到所述第一沟道区。所述第三数据线电耦合到第二晶体管的第二沟道区，所述第二沟道区电耦合到电荷存储结构且在所述第一晶体管的电荷存储结构和所述第三数据线之间。所述第一存取线位于所述设备的第一层级上。所述第二存取线位于所述设备的第二层级上。所述电荷存储结构位于所述设备的在所述第一和第二层级之间的一层级上。

优先权申请

本申请要求2018年12月26日提交的美国临时申请第62/785,154号的优先权权益，所述美国临时申请以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

存储器装置广泛地用于计算机和许多其它电子物品中来存储信息。存储器装置通常分类成两种类型：易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)装置。非易失性存储器装置的实例包含快闪存储器装置(例如，快闪存储器棒)。存储器装置通常具有存储信息的许多存储器单元。在易失性存储器装置中，如果供应功率与存储器装置断开连接，那么存储于存储器单元中的信息丢失。在非易失性存储器装置中，即使供应功率与存储器装置断开连接，存储于存储器单元中的信息也保留。

本文中的描述涉及易失性存储器装置。最常规易失性存储器装置将信息以电荷形式存储在包含于存储器单元中的电容器结构中。随着对装置存储密度的需求增加，许多常规技术提供缩小存储器单元的大小以便增大给定装置区域的装置存储密度的方式。然而，如果存储器单元大小收缩到某一尺寸，那么物理限制和制造约束可对此类常规技术设置挑战。不同于一些常规存储器装置，本文中所描述的存储器装置包含可克服常规技术所面对的挑战的特征。

附图说明

图1示出根据本文中描述的一些实施例的呈包含易失性存储器单元的存储器装置形式的设备的框图。

图2示出根据本文中描述的一些实施例的包含双晶体管(2T)存储器单元的存储器阵列的存储器装置的一部分的示意图。

图3示出根据本文中描述的一些实施例的图2的存储器装置，包含在存储器装置的偶数存储器单元的读取操作期间使用的实例电压。

图4示出根据本文中描述的一些实施例的图2的存储器装置，包含在存储器装置的奇数存储器单元的读取操作期间使用的实例电压。

图5示出根据本文中描述的一些实施例的图2的存储器装置，包含在存储器装置的写入操作期间使用的实例电压。

图6示出根据本文中描述的一些实施例的包含每一存储器单元中的共享读取/写入数据线的存储器装置的一部分的示意图。

图7示出根据本文中描述的一些实施例的包含用于每一存储器单元的两个晶体管的共享存取线的存储器装置的一部分的示意图。

图8示出根据本文中描述的一些实施例的包含每一存储器单元中的共享读取/写入数据线及用于每一存储器单元的两个晶体管的共享存取线的存储器装置的一部分的示意图。

图9示出根据本文中描述的一些实施例的包含每一存储器单元中的地连接的存储器装置的一部分的示意图。

图10示出根据本文中描述的一些实施例的包含每一存储器单元中的地连接及用于每一存储器单元的两个晶体管的共享存取线的存储器装置的一部分的示意图。

图11示出根据本文中描述的一些实施例的存储器装置的结构的俯视图。

图12A到图18B示出根据本文中描述的一些实施例的形成图11的存储器装置的过程。

图19A和图19B示出根据本文中描述的一些实施例的存储器装置的结构的侧视图，其包含耦合到存储器装置的每一存储器单元的地连接。