[发明专利]干蚀刻方法、干蚀刻剂及其保存容器

权利要求书

1.一种干蚀刻方法，其具有：

对干蚀刻剂进行等离子化的工序；和

使用进行了等离子化的干蚀刻剂对硅氧化物或硅氮化物进行蚀刻的工序，

所述干蚀刻剂以碳数2或3的含氟直链腈化合物相对于CF₃I的浓度为1体积ppm以上且1体积％以下包含CF₃I和所述碳数2或3的含氟直链腈化合物。

2.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述碳数2或3的含氟直链腈化合物为CF₃C≡N或CF₃CF₂C≡N。

3.根据权利要求1或2所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻剂包含添加气体，

所述添加气体为选自由O₂、O₃、CO、CO₂、COCl₂、COF₂、CF₂(OF)₂、CF₃OF、NO₂、NO、F₂、NF₃、Cl₂、Br₂、I₂及YF_n组成的组中的至少一种气体，式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整数，1≤n≤7。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻剂包含添加气体，

所述添加气体为选自由H₂、HF、HI、HBr、HCl、NH₃、CF₄、CF₃H、CF₂H₂、CFH₃、C₂F₆、C₂F₄H₂、C₂F₅H、C₃F₈、C₃F₇H、C₃F₆H₂、C₃F₅H₃、C₃F₄H₄、C₃F₃H₅、C₃F₅H、C₃F₃H、C₃ClF₃H、C₄F₈、C₄F₆、C₅F₈、C₅F₁₀、C₃F₆、C₃HF₅、C₃H₂F₄及C₃H₃F₃组成的组中的至少一种气体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述干蚀刻剂还包含非活性气体，

所述非活性气体选自由N₂、He、Ar、Ne、Kr及Xe组成的组。

6.一种干蚀刻剂，其以碳数2或3的含氟直链腈化合物相对于CF₃I的浓度为1体积ppm以上且1体积％以下包含CF₃I和所述碳数2或3的含氟直链腈化合物。

7.一种保存容器，其填充有权利要求6所述的干蚀刻剂并密闭。