[发明专利]形成湿气和氧气阻挡涂层的方法

权利要求书

1.一种涂覆基板的方法，包括：

在所述基板上沉积阻挡层，其中使用原子层沉积在1atm下并且在低于所述基板的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积所述阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡层包含选自由氧化铝、二氧化硅、氮化硅和聚合物组成的群组的材料，并且其中所述基板是流体或液体容纳容器。

3.根据权利要求2所述的方法，其中当所述阻挡层包含聚合物时，所述阻挡层的厚度在约0.1μm至约30μm之间，并且其中当所述阻挡层包含氧化铝、二氧化硅或氮化硅时，所述阻挡层的厚度在约10nm至约200nm之间。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在沉积所述阻挡层之前等离子体处理所述基板。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述阻挡层上沉积一个或多个层，

其中通过浸渍涂覆沉积所述一个或多个层，

其中所述基板包含第一聚合物，

其中所述阻挡层包含第二聚合物，所述第二聚合物不同于所述第一聚合物，并且

其中所述一个或多个层中的每一个层包含一种或多种第三聚合物，所述一种或多种第三聚合物不同于所述第一聚合物。

6.一种涂覆基板的方法，包括：

在所述基板上沉积阻挡层，所述基板包含低密度聚乙烯(LDPE)，其中使用原子层沉积在1atm下并且在低于所述LDPE的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积所述阻挡层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述阻挡层包含选自由氧化铝、二氧化硅、氮化硅和聚合物组成的群组的材料，并且其中所述基板是流体或液体容纳容器。

8.根据权利要求7所述的方法，其中当所述阻挡层包含氧化铝、二氧化硅或氮化硅时，所述阻挡层的厚度在约10nm至约200nm之间，并且其中当所述阻挡层包含聚合物时，所述阻挡层的厚度在约0.1μm至约30μm之间。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在沉积所述阻挡层之前等离子体处理所述基板。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述阻挡层上沉积一个或多个层，

其中通过浸渍涂覆沉积所述一个或多个层，

其中所述一个或多个层包含一种或多种聚合物，并且

其中所述一个或多个层中的每一个层包含与所述基板不同的材料。

11.一种涂覆基板的方法，包括：

在所述基板的第一表面上沉积阻挡层，其中使用原子层沉积在1atm下并且在低于所述基板的熔点的约25摄氏度至约5摄氏度之间的温度下沉积所述阻挡层，并且其中所述基板是流体或液体容纳容器，所述流体或液体与所述基板的与所述第一表面相对的第二表面接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述阻挡层包含选自由氧化铝、二氧化硅、氮化硅和聚合物组成的群组的材料，并且其中当所述阻挡层包含氧化铝、二氧化硅或氮化硅时，所述阻挡层的厚度在约10nm至约200nm之间。

13.根据权利要求11所述的方法，其中当所述阻挡层包含聚合物时，所述阻挡层的厚度在约0.1μm至约30μm之间。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在沉积所述阻挡层之前等离子体处理所述基板。

15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在所述阻挡层上沉积一个或多个层，

其中通过浸渍涂覆沉积所述一个或多个层，

其中所述基板包含第一聚合物，

其中所述阻挡层包含第二聚合物，所述第二聚合物不同于所述第一聚合物，并且

其中所述一个或多个层中的每一个层包含一种或多种第三聚合物，所述一种或多种第三聚合物不同于所述第一聚合物。