[发明专利]显示装置及用于制造显示装置的方法在审
申请号: | 201980089117.2 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN113302743A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 都永洛;柳康烈 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 用于 制造 方法 | ||
1.显示装置,包括:
基板;
第一电极,设置在所述基板上;
第二电极,设置在所述基板上,并且与所述第一电极间隔开且面对所述第一电极;
发光元件,设置在所述第一电极和所述第二电极之间;
第一导电接触图案,设置在所述第一电极上以接触所述发光元件的一端和所述第一电极;以及
第二导电接触图案,设置在所述第二电极上以接触所述发光元件的另一端和所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一导电接触图案和所述第二导电接触图案分别直接设置在所述第一电极和所述第二电极上;以及
所述第一导电接触图案和所述第一电极重叠的区域以及所述第二导电接触图案和所述第二电极重叠的区域中没有插置绝缘材料层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一电极、所述第二电极、所述第一导电接触图案和所述第二导电接触图案在相同的方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一导电接触图案和所述第二导电接触图案在宽度方向上分别覆盖所述第一电极和所述第二电极。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中:
所述第一导电接触图案包括设置在所述第一电极的在宽度方向上的一个边缘上的第一一侧导电接触图案以及设置在所述第一电极的在所述宽度方向上的另一边缘上并且与所述第一一侧导电接触图案分开的第一另一侧导电接触图案;以及
所述第二导电接触图案包括设置在所述第二电极的在所述宽度方向上的一个边缘上的第二一侧导电接触图案以及设置在所述第二电极的在所述宽度方向上的另一边缘上并且与所述第二一侧导电接触图案分开的第二另一侧导电接触图案。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一电极包括第一电极杆部分和从所述第一电极杆部分分支的第一电极分支部分;
所述第二电极包括第二电极杆部分和从所述第二电极杆部分分支的第二电极分支部分;以及
所述发光元件设置在所述第一电极分支部分和所述第二电极分支部分之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中:
所述显示装置包括多个像素;
所述第一电极包括像素电极,所述像素电极被划分并设置在所述多个像素中的每个中;以及
所述第二电极包括沿所述多个像素设置的公共电极。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电接触图案和所述第二导电接触图案中的每个的表面粗糙度大于所述第一电极和所述第二电极中的每个的表面粗糙度。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电接触图案和所述第二导电接触图案中的每个的侧表面的倾斜角小于所述第一电极和所述第二电极中的每个的侧表面的倾斜角。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电接触图案和所述第二导电接触图案中的每个的厚度的范围为10nm至10μm,并且所述第一导电接触图案和所述第二导电接触图案中的每个的线宽的范围为1μm至30μm。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电接触图案和所述第二导电接触图案中的每个包括烧结的银(Ag)。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光元件具有在一个方向上延伸的形状,并且包括第一导电类型半导体、第二导电类型半导体以及设置在所述第一导电类型半导体和所述第二导电类型半导体之间的有源层。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述发光元件的长度的范围为10nm至10μm,并且所述发光元件的纵横比的范围为1.2至100。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的