[发明专利]单晶X射线结构解析装置和用于其的方法

权利要求书

1.一种单晶X射线结构解析装置，是进行物质的结构解析的单晶X射线结构解析装置，其特征在于，具备：

X射线源，产生X射线；

试样保持架，包括能够在形成于内部的多个微细孔吸藏试样的细孔性络合物结晶；

测角仪，安装并转动所述试样保持架；

X射线照射部，对安装于所述测角仪的所述试样保持架中所保持的所述试样照射来自所述X射线源的X射线；

X射线检测测定部，检测通过所述试样衍射或者散射的X射线来进行测定；

结构解析部，基于由所述X射线检测测定部测定出的衍射或者散射X射线来进行所述试样的结构解析；

信息取得部，取得与所述细孔性络合物结晶相关的不变信息或者所述试样的吸藏以后的可变信息；以及

信息保存部，保存在所述信息取得部取得的所述不变信息或者所述可变信息。

2.根据权利要求1所述的单晶X射线结构解析装置，其中，

所述可变信息包括所述试样的准备中的条件、吸藏条件、吸藏结果、测定条件以及测定结果中的至少一个。

3.根据权利要求1或者权利要求2所述的单晶X射线结构解析装置，其中，

所述不变信息包括所述细孔性络合物结晶的种类、制造者、制造场所、制造日期时间、批号以及支持信息中的至少一个。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的单晶X射线结构解析装置，其中，

所述试样的X射线的检测以及测定、或者所述试样的结构解析基于所述信息保存部所保存的所述不变信息或者所述可变信息来进行。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的单晶X射线结构解析装置，其中，

所述信息取得部所取得的所述不变信息或者所述可变信息是装在所述试样保持架或者在内部收纳所述试样保持架的敷料器的信息保持部中所保持的信息。

6.根据权利要求5所述的单晶X射线结构解析装置，其中，

所述信息保持部是在所述试样保持架或者所述敷料器中显示的条形码，

所述不变信息或者所述可变信息包括在条形码中。

7.根据权利要求5所述的单晶X射线结构解析装置，其中，

所述信息保持部是安装于所述试样保持架或者所述敷料器的半导体存储装置，

所述不变信息或者所述可变信息被保存在半导体存储装置中。

8.根据权利要求1～4中的任一项所述的单晶X射线结构解析装置，其中，

所述信息取得部所取得的所述不变信息或者所述可变信息是基于所述试样保持架或者在内部收纳所述试样保持架的敷料器所保有或者显示的固有信息而取得的保持在所述试样保持架以及所述敷料器以外的信息。

9.一种单晶X射线结构解析方法，是利用试样保持架进行物质的结构解析的单晶X射线结构解析方法，其特征在于，包括：

吸藏工序，对所述试样保持架所保持的细孔性络合物结晶导入要解析的试样来进行所述试样的吸藏；

安装工序，将所述试样吸藏后的试样保持架安装于单晶X射线结构解析装置的测角仪；

信息取得工序，取得与所述细孔性络合物结晶相关的不变信息或者所述试样的吸藏工序以后的可变信息；

信息保存工序，保存取得的所述不变信息或者可变信息；

X射线检测测定工序，对所述试样照射来自所述单晶X射线结构解析装置的X射线源的X射线，检测通过所述试样衍射或者散射的X射线来进行测定；以及

结构解析工序，基于通过所述X射线检测测定工序检测而测定出的衍射或者散射X射线来进行所述试样的结构解析。

10.根据权利要求9所述的单晶X射线结构解析方法，其中，

所述可变信息包括所述试样的准备中的条件、吸藏条件、吸藏结果、测定条件以及测定结果中的至少一个。