[发明专利]气相成长装置在审
申请号: | 201980086208.0 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN113439323A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 和田直之;南出由生 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/677;H01L21/673;C23C16/458;C23C16/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;陈浩然 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相成 装置 | ||
本发明提供即使无法使用载具也能够执行处理的气相成长装置。在第1机器人(121)的手的末端装配的第1叶片(123)具有支承载具(C)的第1凹部(124)、能够支承晶圆(WF)的第2凹部(125),在装载锁定室(13)设置有支承载具(C)并且能够支承晶圆(WF)的架(17)。
技术领域
本发明涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置。
背景技术
在用于外延晶圆的制造等的气相成长装置中,为使对硅晶圆背面的损伤为最小限度,提出在将硅晶圆搭载于环状的载具的状态下在从装载锁定室至反应室的工序中搬运(专利文献1)。
这种气相成长装置中,在装载锁定室中待机的环状的载具搭载处理前的晶圆,另一方面,处理后的晶圆在搭载于环状的载具的状态下被从反应室向装载锁定室搬运。
专利文献1:美国专利申请公开2017/0110352号公报。
用上述环状的载具搬运晶圆的以往的气相成长装置中有如下问题:若为载具破损或故障而无法使用的状况,则气相成长装置也无法使用。
发明内容
本发明所要解决的问题是,提供不使用载具也能够执行CVD处理的气相成长装置。
本发明的气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具,使用多个该载具,将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运,并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运,其特征在于,前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通,并且经由第2门与前述晶圆移载室连通,前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通,在前述晶圆移载室设置有第1机器人,前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室,并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出,向前述装载锁定室搬运,在前述工厂接口设置有第2机器人,前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出,搭载于在前述装载锁定室待机的载具,并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器,前述装载锁定室设置有支承载具的架,在前述气相成长装置中具有第1叶片、第1凹部、第2凹部,前述第1叶片被在前述第1机器人的手的末端装配,前述第1凹部支承前述载具,前述第2凹部形成于前述第1凹部的底面,能够支承前述晶圆。
在本发明中,更优选的是,前述第1凹部是与前述载具的外周侧壁面的一部分对应的凹部,前述第2凹部是与前述晶圆的外形的一部分对应的凹部。
在本发明中,更优选的是,前述第1凹部和前述第2凹部形成为同心圆状。
本发明的气相成长装置具备支承晶圆的外边缘的环状的载具,使用多个该载具,将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向反应室顺次搬运,并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运,其特征在于,前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通,并且经由第2门与前述晶圆移载室连通,前述晶圆移载室经由闸门阀与在前述晶圆形成CVD膜的前述反应室连通,在前述晶圆移载室设置有第1机器人,前述第1机器人将被向前述装载锁定室搬运来的处理前的晶圆在搭载于载具的状态下投入前述反应室,并且将在前述反应室中结束处理的处理后的晶圆在搭载于载具的状态下从前述反应室取出,向前述装载锁定室搬运,在前述工厂接口设置有第2机器人,前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出,搭载于在前述装载锁定室待机的载具,并且将被向前述装载锁定室搬运来的搭载于载具的处理后的晶圆收纳于晶圆收纳容器,在前述气相成长装置中,设置有支承前述载具并且能够支承前述晶圆的架。
在本发明中,更优选的是,前述架具备支承前述载具的载具用架和支承前述晶圆的晶圆用架。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造