[发明专利]神经元及包括其的神经形态系统

权利要求书

1.一种神经元，其特征在于，包括全耗尽型绝缘层上覆硅器件，根据所输入的电信号控制耗尽区域，来执行整合及泄漏。

2.根据权利要求1所述的神经元，其特征在于，在上述整合中，通过一个以上的突触输入的上述电信号以电势的形态累积。

3.根据权利要求1所述的神经元，其特征在于，在间隔时间区间内执行上述泄漏，上述间隔时间区间为从输入上述电信号的时间开始到输入之后电信号的时间为止的区间。

4.根据权利要求1所述的神经元，其特征在于，上述全耗尽型绝缘层上覆硅器件为N型金属氧化物半导体晶体管器件，其包括：

基板，形成绝缘层上覆硅结构，依次包括第一半导体层、埋置绝缘层以及用作沟道层的第二半导体层；

栅极绝缘膜，形成于上述第二半导体层上；

栅极电极，形成于上述栅极绝缘膜上；以及

源极区域及漏极区域，配置于上述栅极电极的两侧，以互相隔开的方式形成于上述第二半导体层内。

5.根据权利要求4所述的神经元，其特征在于，上述第二半导体层的厚度达到3nm至100nm。

6.根据权利要求4所述的神经元，其特征在于，上述第二半导体层包含硅、应变硅以及减轻应力的硅-锗中的至少一种物质。

7.根据权利要求4所述的神经元，其特征在于，通过上述漏极区域输入上述电信号。

8.一种神经形态系统，其特征在于，

包括：

一个以上的突触前神经元；

一个以上的突触，与上述一个以上的突触前神经元电连接；以及

一个以上的突触后神经元，与上述一个以上的突触电连接，包括全耗尽型绝缘层上覆硅器件，

上述一个以上的突触后神经元执行整合及泄漏。

9.根据权利要求8所述的神经形态系统，其特征在于，上述一个以上的突触后神经元根据所输入的电信号控制耗尽区域，来执行上述整合及上述泄漏。

10.根据权利要求8所述的神经形态系统，其特征在于，上述一个以上的突触形成交叉开关矩阵结构。

11.根据权利要求8所述的神经形态系统，其特征在于，上述一个以上的突触包括忆阻器及选择器件。

12.根据权利要求8所述的神经形态系统，其特征在于，上述神经形态系统还包括加法器。