[发明专利]硅晶片的极低氧浓度测定方法

权利要求书

1.单晶硅晶片中的氧浓度测定方法，其为单晶硅晶片中的间隙氧浓度小于1.0×10¹⁶atoms/cm³的氧浓度测定方法，具有：

在测定硅晶片的表面、无间隙氧的参考硅晶片的表面和间隙氧浓度已知的标准硅晶片的表面分别形成相同厚度的SiO₂膜的步骤1、

通过傅里叶变换红外分光分析法(FT-IR)测定带SiO₂膜的测定硅晶片、带SiO₂膜的参考硅晶片和带SiO₂膜的标准硅晶片的红外吸收光谱的步骤2、

由带SiO₂膜的测定硅晶片的红外吸收光谱和带SiO₂膜的参考硅晶片的红外吸收光谱求出红外吸收差光谱(透射谱)，求出对应于间隙氧的吸收峰的强度的步骤3、

对比前述间隙氧的峰强度、带SiO₂膜的标准硅晶片的间隙氧的峰强度，基于标准硅晶片的间隙氧浓度值算出测定硅晶片中的间隙氧浓度的步骤4。

2.根据权利要求1所述的单晶硅晶片中的氧浓度测定方法，其中，在步骤1中，SiO₂膜的厚度为2~40nm。

3.单晶硅晶片中的氧浓度测定方法，其是单晶硅晶片中的间隙氧浓度小于1.0×10¹⁶atoms/cm³的氧浓度测定方法，具有：

在测定硅晶片的表面、无间隙氧的参考硅晶片的表面和间隙氧浓度已知的标准硅晶片的表面形成氮化膜的步骤1、

通过傅里叶变换红外分光分析法(FT-IR)测定带氮化膜的测定硅晶片、带氮化膜的参考硅晶片和带氮化膜的标准硅晶片的红外吸收光谱的步骤2、

由带氮化膜的测定硅晶片的红外吸收光谱和带氮化膜的参考硅晶片的红外吸收光谱求出透射谱，求出对应于间隙氧的吸收峰的强度的步骤3、和

对比前述间隙氧的峰强度和带氮化膜的标准硅晶片的间隙氧的峰强度，基于标准硅晶片的间隙氧浓度值算出测定硅晶片中的间隙氧浓度的步骤4。

4.根据权利要求3所述的单晶硅晶片中的氧浓度测定方法，其中，在步骤1中，氮化膜的厚度为1~10nm。

5.单晶硅晶片中的氧浓度的测定方法，其是单晶硅晶片中的间隙氧浓度小于1.0×10¹⁶atoms/cm³的氧浓度测定方法，具有：

在测定硅晶片的表面、无间隙氧的参考硅晶片的表面和间隙氧浓度已知的标准硅晶片的表面形成聚乙烯膜的步骤1、

通过傅里叶变换红外分光分析法(FT-IR)测定带聚乙烯膜的测定硅晶片、带聚乙烯膜的参考硅晶片和带聚乙烯膜的标准硅晶片的红外吸收光谱的步骤2、

由带聚乙烯膜的测定硅晶片的红外吸收光谱和带聚乙烯膜的参考硅晶片的红外吸收光谱求出透射谱，求出对应于间隙氧的吸收峰的强度的步骤3、和

对比前述间隙氧的峰强度与带聚乙烯膜的标准硅晶片的间隙氧的峰强度，基于标准硅晶片的间隙氧浓度值算出测定硅晶片中的间隙氧浓度的步骤4。