[发明专利]SiOC膜的氧化还原

权利要求书

1.一种在沟槽之上形成低k可流动介电膜的方法，所述沟槽形成于图案化基板的表面上，所述方法包括：

以第一流速将含硅和碳前驱物传递至第一基板处理腔室的基板处理区域中达第一时间段和第二时间段；

使含氧前驱物流进等离子体源的远程等离子体区域中，同时点燃远程等离子体以形成自由基氧前驱物；

在经过所述第一时间段之后且于所述第二时间段期间，使所述自由基氧前驱物以第二流速流进所述基板处理区域；以及

在经过所述第二时间段之后，将所述含硅和碳前驱物暴露至电磁辐射达第三时间段，其中所述电磁辐射是以第一波长并且以第一功率提供。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

所述含硅和碳前驱物包括：八甲基环四硅氧烷(OMCTS)、四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、二甲基二硅氧烷(DMDSO)、或二甲基二氯硅烷(SiR₂Cl₂)，并且

所述自由基氧前驱物包括：O₂、H₂O、O₃、H₂O₂、N₂O、NO或NO₂。

3.如权利要求1所述的方法，其中在所述第二时间段期间，使所述自由基氧前驱物流进所述基板处理区域进一步包括：

将所述第一基板处理腔室的所述基板处理区域中的压力控制为介于0.5托至3.0托之间的压力；以及

将所述图案化基板的温度控制为介于40℃至150℃之间的温度。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在经过所述第二时间段后，将所述图案化基板从所述第一基板处理腔室移送到第二基板处理腔室，其中，

将所述含硅和碳前驱物暴露至电磁辐射达所述第三时间段的方法是在所述第二基板处理腔室中执行；

在所述第三时间段期间，所述第二基板处理腔室的所述基板处理区域维持在介于1托至600托之间的压力；并且

在所述第三时间段期间，所述图案化基板维持在介于150℃至500℃之间的温度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化基板包括金属，所述金属选自由钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钴(Co)、铜(Cu)和铝(Al)所组成的群组。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化基板包括选自由BCTe、GeSiAsTe、GeAsSe和SeAsGeSi组成的群组的材料。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化基板的至少一部分包括材料，所述材料包括锗、锑和碲。

8.如权利要求1所述的方法，其中，

所述第一流速介于每分钟0.25克(g/min)至每分钟3克(g/min)之间，并且所述第一时间段介于1秒至600秒之间；

所述第二流速介于100sccm至2000sccm之间，并且所述第二时间段介于1秒至1800秒之间；并且

所述第一波长介于240nm至600nm之间，并且所述第三时间段介于10秒至30分之间。

9.一种在沟槽之上形成低k可流动介电膜的方法，所述沟槽形成于图案化基板的表面上，所述方法包括：

以第一流速将含硅和碳前驱物传递至第一基板处理腔室的基板处理区域中达第一时间段和第二时间段；

使含氧前驱物流入等离子体源的远程等离子体区域，同时点燃远程等离子体以形成自由基氧前驱物；

在经过所述第一时间段之后并且在所述第二时间段期间，以第二流速使所述自由基氧前驱物流进所述基板处理区域中；以及

在经过所述第二时间段之后，将所述含硅和碳前驱物暴露于电磁辐射达第三时间段，同时所述图案化基板维持在40℃至500℃之间的温度，其中所述电磁辐射是以第一波长并且以第一功率提供。