[发明专利]具有改善的击穿强度的双轴取向聚丙烯膜在审
| 申请号: | 201980083074.7 | 申请日: | 2019-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN113195605A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
| 发明(设计)人: | 迪特里希·格洛格尔;赫尔曼·布劳恩;安东尼奥·吉特萨斯;达维德·特兰赤达;弗朗西斯库斯·雅各布斯;沃尔夫拉姆·施塔德鲍尔 | 申请(专利权)人: | 博里利斯股份公司 |
| 主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;B29C55/12;C08L23/12;H01B3/44;H01G4/18;B29C55/16 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 改善 击穿 强度 取向 聚丙烯 | ||
1.一种双轴取向聚丙烯膜,优选用于以连续方法生产,其包含聚丙烯组合物,其中所述聚丙烯组合物包含
(i)基于所述聚丙烯组合物的总重量,90至99.99重量%的丙烯均聚物,所述丙烯均聚物具有93%至98%的全同立构五单元组级分含量和0.4至10g/10min的熔体流动速率MFR2,和
(ii)基于所述聚丙烯组合物的总重量,0.0000001至1重量%的聚合物α-成核剂,
其中所述双轴取向聚丙烯膜
-具有至少595kV/mm的介电击穿场强Eb63.2,其基于在厚度为3.8–4.2μm的膜上使用250V/s的DC电压斜变速率用2.84cm2的有效电极面积测量的50个结果,作为拟合双参数威布尔分布的尺度参数α获得,和
-具有2至5μm的厚度,其中进一步同时在纵向和横向拉伸所述膜。
2.根据权利要求1所述的双轴取向聚丙烯膜,其中
所述聚丙烯组合物还包含
(iii)基于所述聚丙烯组合物的总重量,至多9.99重量%的除了所述丙烯均聚物(i)以外的丙烯均聚物或共聚物。
3.根据权利要求1或2所述的双轴取向聚丙烯膜,其中
所述聚丙烯组合物还包含
(iv)基于所述聚丙烯组合物的总重量,0.01至1重量%的常规添加剂。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的双轴取向聚丙烯膜,
其中所述聚丙烯组合物的灰分含量不超过30ppm和/或在TD或MD上的拉伸比为至少8.0,优选8.0至20.0,进一步优选9.0至15.0。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的双轴取向聚丙烯膜,其中所述聚合物α-成核剂选自由聚乙烯基环己烷、聚(3-甲基-1-丁烯)及其混合物组成的组。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的双轴取向聚丙烯膜,其中所述常规添加剂选自抗氧化剂、稳定剂、酸清除剂及其混合物。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的双轴取向聚丙烯膜,
其中所述膜包含由所述聚丙烯组合物组成的层和/或所述膜的厚度在>2至<5μm之间,优选>2至4.5μm或3至5μm,优选3.5至4.5μm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的双轴取向聚丙烯膜,其中所述膜还包含金属层。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的双轴取向聚丙烯膜,其具有至少535kV/mm的介电击穿场强Eb10.0。
10.一种包含绝缘膜的电容器,所述绝缘膜包含根据权利要求1至9中任一项所述的双轴取向聚丙烯膜的层。
11.一种用于生产双轴取向聚丙烯膜的方法,其包含以下步骤:
(A)提供聚丙烯组合物,所述聚丙烯组合物包含
(i)基于所述聚丙烯组合物的总重量,90至99.99重量%的丙烯均聚物,所述丙烯均聚物具有93%至98%的全同立构五单元组级分含量和0.4至10g/10min的熔体流动速率MFR2,和
(ii)基于所述聚丙烯组合物的总重量,0.0000001至1重量%的聚合物α-成核剂,
(B)将所述聚丙烯组合物挤出成平膜,
(C)将所述平膜同时在纵向和横向上取向以获得所述双轴取向聚丙烯膜,和
(D)回收所述双轴取向聚丙烯膜。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述聚丙烯组合物还包含
(iii)基于所述聚丙烯组合物的总重量,至多9.99重量%的除了所述丙烯均聚物(i)以外的丙烯均聚物或共聚物。
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