[发明专利]低调制电压的低温二极管结构有效
| 申请号： | 201980082254.3 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN113169251B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·叶;储荣明;安德鲁·潘 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/60;H01S5/02;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 于未茗 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调制 电压 低温 二极管 结构 | ||
1.一种光发射器，包括：
单量子阱层；
n型势垒层，该n型势垒层直接位于所述单量子阱层的第一表面上；以及
p型势垒层，该p型势垒层直接位于所述单量子阱层的第二表面上，所述单量子阱层的所述第二表面与所述单量子阱层的所述第一表面相对；
其中，所述单量子阱层位于所述p型势垒层与所述n型势垒层之间；并且
其中，所述n型势垒层具有渐变的成分；
其中，所述单量子阱层具有第一带隙，并且其中具有渐变的成分的所述n型势垒层具有朝向所述单量子阱层减小至第二带隙的渐变的带隙，所述第二带隙大于所述第一带隙。
2.根据权利要求1所述的光发射器，
其中，所述p型势垒层具有直接抵靠所述单量子阱层的所述第二表面的第一表面；
其中，所述p型势垒层具有渐变的成分；并且
其中，具有渐变的成分的所述p型势垒层具有朝向所述单量子阱层减小至第三带隙的渐变的带隙，所述第三带隙大于所述第一带隙。
3.一种光发射器，包括：
单量子阱层；
n型势垒层，该n型势垒层直接位于所述单量子阱层的第一表面上；以及
p型势垒层，该p型势垒层直接位于所述单量子阱层的第二表面上，所述单量子阱层的所述第二表面与所述单量子阱层的所述第一表面相对；
其中，所述单量子阱层位于所述p型势垒层与所述n型势垒层之间；并且
其中，所述n型势垒层具有渐变的成分；
所述光发射器还包括：
隧道结结构，包括：
重p掺杂层；和
位于所述重p掺杂层上的重n掺杂层；
其中，所述p型势垒层具有直接抵靠所述单量子阱层的所述第二表面的第一表面；
其中，所述重p掺杂层与所述p型势垒层的第二表面相邻，所述p型势垒层的所述第二表面与所述p型势垒层的第一表面相对；并且
其中，所述重p掺杂层比所述重n掺杂层更靠近所述p型势垒层。
4.根据权利要求3所述的光发射器，
其中，所述隧道结结构的所述重p掺杂层直接抵靠所述p型势垒层的所述第二表面。
5.根据权利要求3所述的光发射器，还包括：
p掺杂间隔层；
其中，所述p掺杂间隔层位于所述重p掺杂层与所述p型势垒层的所述第二表面之间。
6.根据权利要求1所述的光发射器，还包括：
位于所述p型势垒层上的重n掺杂层。
7.一种光发射器，包括：
单量子阱层；
n型势垒层，该n型势垒层直接位于所述单量子阱层的第一表面上；以及
p型势垒层，该p型势垒层直接位于所述单量子阱层的第二表面上，所述单量子阱层的所述第二表面与所述单量子阱层的所述第一表面相对；
其中，所述单量子阱层位于所述p型势垒层与所述n型势垒层之间；并且
其中，所述n型势垒层具有渐变的成分；
其中，所述p型势垒层以足够高的掺杂剂浓度掺杂，以在低于80开尔文的所述光发射器的工作温度下实现大于10%的掺杂剂电离。
8.一种光发射器，包括：
单量子阱层；
n型势垒层，该n型势垒层直接位于所述单量子阱层的第一表面上；以及
p型势垒层，该p型势垒层直接位于所述单量子阱层的第二表面上，所述单量子阱层的所述第二表面与所述单量子阱层的所述第一表面相对；
其中，所述单量子阱层位于所述p型势垒层与所述n型势垒层之间；并且
其中，所述n型势垒层具有渐变的成分；
其中，所述n型势垒层以足够高的掺杂剂浓度掺杂，以在低于80开尔文的所述光发射器的工作温度下实现大于10%的掺杂剂电离。
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