[发明专利]碳硬掩模、成膜装置和成膜方法在审
| 申请号： | 201980080907.4 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN113169068A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 堀胜;关根诚;杉浦启嗣;守屋刚;田中谕志;森贞佳纪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东海国立大学机构 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/314;C23C16/26 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳硬掩模 装置 方法 | ||
在层叠于被蚀刻膜上的碳硬掩模的一个实施方式中，碳硬掩模中所含的亚甲基CH2和甲基CH3的浓度比满足下述式。CH2/(CH2+CH3)≥0.5。
技术领域
本公开的各种方面和实施方式涉及碳硬掩模、成膜装置和成膜方法。
背景技术
例如，下述专利文献1中公开了在处理腔室内的基板上形成氮掺杂非晶碳层的方法。该方法中，将规定厚度的牺牲电介质层沉积在基板上，并且通过去除牺牲电介质层的一部分以使基板的上部表面露出，从而在基板上形成图案化特征部。另外，在图案化特征部和基板露出的上部表面保形的沉积有规定厚度的氮掺杂非晶碳层。而且，使用各向异性蚀刻工艺，从图案化特征部的上部表面和基板的上部表面选择性地去除氮掺杂非晶碳层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2015-507363号公报
发明内容
本公开提供：含有氢原子、耐蚀刻性高的碳硬掩模。
本公开的一方面为一种碳硬掩模，其为层叠在被蚀刻膜上的碳硬掩模，碳硬掩模中所含的亚甲基CH2和甲基CH3的浓度比满足下述式。
CH2/(CH2+CH3)≥0.5
根据本公开的各种方面和实施方式，可以提供：含有氢原子、耐蚀刻性高的碳硬掩模。
附图说明
图1为示出本申请的一实施方式中的成膜装置的一例的示意剖视图。
图2为示出本申请的一实施方式中的分隔板的一例的放大剖视图。
图3为示出本申请的一实施方式中的探针的一例的放大剖视图。
图4为示出本申请的一实施方式中的反射率之比的测定结果的一例的图。
图5为示出本申请的一实施方式中的第2等离子体室内的等离子体的发射光谱的一例的图。
图6为示出本申请的一实施方式中的掩模膜的FTIR(傅里叶变换红外光谱，Fourier Transform InfraRed spectroscopy)光谱的一例的图。
图7为示出本申请的一实施方式中的浓度比与干蚀刻速率(DER)的关系的一例的图。
图8为示出EEDF(电子能量分布函数，Electron Energy Distribution Function)的一例的图。
图9为示出反应速度系数与氢原子的激发温度的关系的一例的图。
图10为示出本申请的一实施方式中的解离指数与浓度比的关系的一例的图。
图11为示出本申请的一实施方式中的解离指数与成膜速率的关系的一例的图。
图12为示出比较例中的掩模膜的FTIR光谱的一例的图。
图13为示出本申请的一实施方式中的掩模膜的成膜方法的一例的流程图。
具体实施方式
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
