[发明专利]半导体激光装置在审
| 申请号: | 201980079570.5 | 申请日: | 2019-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN113169513A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 山口敦司;坂本晃辉 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/02345 | 分类号: | H01S5/02345 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;宋春华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 激光 装置 | ||
半导体激光装置(A1)具备半导体激光元件(4)、具有栅极电极(52)、源极电极(53)及漏极电极(54)的开关元件(5)、以及具有构成通向开关元件(5)及半导体激光元件(4)的导通路径的导电部(3)且支撑半导体激光元件(4)及开关元件(5)的支撑部件(1)。导电部(3)具有从半导体激光元件(4)分离的主面第一部(311)。半导体激光装置(A1)具备连接于开关元件(5)的源极电极(53)和半导体激光元件(4)的一个以上的第一引线(71)以及连接于开关元件(5)的源极电极(53)和导电部(3)的主面第一部(311)的一个以上的第二引线(72)。通过这样的结构,能够实现半导体激光装置(A1)的电感成分的降低。
技术领域
本公开涉及半导体激光装置。
背景技术
对于汽车等使用的三维距离计测,提出了使用LiDAR(Light Detection andRanging、Laser Imaging Detection and Ranging,激光成像探测与测距技术)的系统(例如,专利文献1)。用作LiDAR的光源的半导体激光装置射出脉冲宽度为数十nS以下的脉冲激光光束。因此,电流的时间变化率提高,半导体激光装置内的电感成分引起的损失增大。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-128432号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本公开因上述的情况而想出,课题在于提供能够实现电感成分的降低的半导体激光装置。
用于解决课题的方案
根据本公开提供的半导体激光装置具备:半导体激光元件;具有栅极电极、源极电极以及漏极电极的开关元件;以及具有构成通向上述开关元件及上述半导体激光元件的导通路径的导电部,且支撑上述半导体激光元件及上述开关元件的支撑部件,上述半导体激光装置中,上述导电部具有从上述半导体激光元件分离的第一部,上述半导体激光装置具备:连接于上述开关元件的上述源极电极和上述半导体激光元件的一个以上的第一引线;以及连接于上述开关元件的上述源极电极和上述导电部的上述第一部的一个以上的第二引线。
发明的效果
根据本公开半导体激光装置,能够实现电感成分的降低。
本公开的其它特征及优点通过参照附图在以下进行的详细的说明,将更明了。
附图说明
图1是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的主要部分俯视图。
图2是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的仰视图。
图3是沿着图1的III-III线的剖视图。
图4是沿着图1的IV-IV线的剖视图。
图5是沿着图1的V-V线的剖视图。
图6是沿着图1的VI-VI线的剖视图。
图7是沿着图1的VII-VII线的剖视图。
图8是表示含有本公开的第一实施方式的半导体激光装置的激光系统的电路图。
图9是表示含有本公开的第一实施方式的半导体激光装置的激光系统的第一变形例的电路图。
图10是表示含有本公开的第一实施方式的半导体激光装置的激光系统的第二变形例的电路图。
图11是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的主要部分俯视图。
图12是表示本公开的第一实施方式的半导体激光装置的第一变形例的仰视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司,未经罗姆股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980079570.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包含部分水溶性溶剂的液体尼古丁制剂
- 下一篇:高热额定值的氟弹性体组合物





