[发明专利]用于在传统SSD和开放沟道SSD之间切换而没有数据丢失的方法

说明书

本发明提供了用于在传统SSD模式和开放沟道SSD(OCSSD)模式之间切换固态设备(SSD)的装置和技术。在一个方面，一组命令被定义用于在所述主机和所述SSD之间传送来自闪存转换层(FTL)的不同类型的数据。所述命令可包括以标准化格式承载不同类型的FTL数据的不同预定位组。可使用接口规范中保留的数据字来传输所述命令，所述接口规范将所述主机交接到所述SSD。所述命令可包括用于转移逻辑到物理地址表、有效性位图和损耗表的命令。切换模式命令可包括指示所述模式将从传统SSD切换到OCSSD还是从OCSSD切换到传统SSD的位。

背景技术

本技术涉及存储装置和存储器设备的操作。

半导体存储器设备已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。

电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可以用于此类存储器设备中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被竖直布置在三维(3D)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2D)存储器结构中。3D存储器结构的一个示例是位成本可扩展(BiCS)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。

存储器设备包括存储器单元，这些存储器单元可被串联布置成NAND串(例如，NAND链)，例如，其中选择栅极晶体管设置在NAND串的末端以选择性地将NAND串的沟道连接到源极线或位线。然而，在操作此类存储器设备时存在各种挑战。

附图说明

图1是示例性存储设备的框图。

图2是图1的示例性存储设备100的框图，描绘了控制器122的附加细节。

图3是存储器设备300的透视图，该存储器设备包括图1的存储器结构126的示例性3D配置中的一组块。

图4描绘了示例性晶体管420。

图5描绘了与图3一致的块BLK0中的NAND串的示例性视图。

图6A描绘了存储器单元的示例性Vth分布，其中在MLC编程的示例中使用了八个数据状态。

图6B描绘了存储器单元的示例性Vth分布，其中在SLC编程中使用了两个数据状态。

图7描绘了在OCSSD模式中与并行单元(PU)组中的存储器单元块通信的图1的控制器122的示例性布置。

图8描绘了与图7一致的示例性逻辑块地址空间。

图9描绘了图1的控制器122和主机140的示例性过程。

图10A描绘了图9的主机文件系统表900的示例。

图10B描绘了图9的L2P表910的示例。

图10C描绘了图9的有效性位图911的示例。

图10D描绘了图9的损耗表912的示例。

图11A描绘了在用于将SSD的模式从传统SSD切换到开放沟道SSD(OCSSD)的过程中的主机与SSD之间的命令的通信。

图11B描绘了在用于将SSD的模式从开放沟道SSD(OCSSD)切换到传统SSD的过程中的主机与SSD之间的命令的通信。

图12A描绘了与图11的第一命令一致的用于切换SSD的模式的示例性命令。

图12B描绘了与图11的第二命令一致的用于同步L2P表的示例性命令。

图12C描绘了与图11的第三命令一致的用于同步有效性位图的示例性命令。

图12D描绘了与图11的第四命令一致的用于同步损耗表的示例性命令。