[发明专利]具有多厚度本征区的PIN二极管

权利要求书

1.一种二极管的半导体结构，包括：

N型硅衬底；

在所述N型硅衬底上的本征层；

以第一深度形成至所述本征层中的第一P型区；以及

以第二深度形成至所述本征层中的第二P型区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一深度大于所述第二深度。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的半导体结构，还包括在所述本征层上的介电层，所述介电层包括多个开口。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中：

所述第一P型区通过所述多个开口之中的第一开口形成；并且

所述第二P型区通过所述多个开口之中的第二开口形成。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述多个开口之中的第一开口的第一宽度与所述多个开口之中的第二开口的第二宽度不同。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构，还包括：

以第三深度形成至所述本征层中的第三P型区，其中：

所述第一深度大于所述第二深度；并且

所述第二深度大于所述第三深度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构，还包括在所述半导体结构的背面在所述N型硅衬底上形成的阴极接触。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体结构，还包括：

在所述半导体结构的前面在所述第一P型区上形成的第一阳极接触；以及

在所述半导体结构的前面在所述第二P型区上形成的第二阳极接触。

9.一种二极管的半导体结构，包括：

第一基座，所述第一基座包括N型硅衬底、在所述N型硅衬底上的本征层以及以第一深度形成至所述本征层中的第一P型区；

第二基座，所述第二基座包括所述N型硅衬底、在所述N型硅衬底上的所述本征层以及以第二深度形成至所述本征层中的第二P型区；以及

在所述第一基座与所述第二基座之间形成的绝缘体。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述第一深度大于所述第二深度。

11.根据权利要求9至10中任一项所述的半导体结构，还包括在所述本征层上的介电层，所述介电层包括多个开口。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中：

所述第一P型区通过所述多个开口之中的第一开口形成；并且

所述第二P型区通过所述多个开口之中的第二开口形成。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述多个开口之中的第一开口的第一宽度与所述多个开口之中的第二开口的第二宽度不同。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的半导体结构，还包括：

第三基座，所述第三基座包括所述N型硅衬底、在所述N型硅衬底上的所述本征层以及以第三深度形成至所述本征层中的第三P型区，其中：

所述绝缘体形成在所述第一基座、所述第二基座和所述第三基座之间；

所述第一深度大于所述第二深度；并且

所述第二深度大于所述第三深度。

15.根据权利要求9至14中任一项所述的半导体结构，还包括：

在所述半导体结构的背面在所述第一基座的所述N型硅衬底上形成的第一阴极接触；以及

在所述半导体结构的背面在所述第二基座的所述N型硅衬底上形成的第二阴极接触。