[发明专利]球状镁橄榄石粒子、其制造方法及包含球状镁橄榄石粒子的树脂组合物

说明书

本发明的课题是制造低介质损耗角正切和粒子形状为球形的镁橄榄石，提供高频特性提高了的基板。解决手段是具有0.1μm～10μm的平均粒径、和0.0003～0.0025的介质损耗角正切的镁橄榄石粒子。球形度＝(通过激光衍射式粒度分布测定装置测得的平均粒径：μm)/(由使用了氮气吸附法的比表面积换算得到的平均一次粒径：μm)为1.0～3.3。一种镁橄榄石粒子的制造方法，其包含下述工序：(A)工序：将成为镁源的镁化合物与成为硅源的硅化合物以镁与硅的MgO/SiO₂摩尔比成为1.90～2.10的方式混合而调制镁橄榄石粒子的工序，(B)工序：将在(A)工序中调制的镁橄榄石粒子投入到烃的燃烧火焰内并回收镁橄榄石粒子的工序，(C)工序：将在(B)工序中获得的镁橄榄石粒子在700℃～1100℃下烧成的工序。树脂与镁橄榄石粒子的比例以质量比计为1：0.001～1000。

技术领域

涉及球状镁橄榄石粒子、其制造方法、包含球状镁橄榄石粒子的树脂组合物。

背景技术

通过利用微波的通信技术，要求由高频率化引起的大容量、高速数据通信。对于便携电话等，从通信标准4G(3GHz～4GHz)向5G(28GHz)，高频率化发展。此外对于装载了自动驾驶装置的汽车，有搭载作为识别周围障碍物的雷达的频率例如24GHz～76GHz左右的毫米波雷达的汽车，近年来增加。

安装了部件后的印刷配线基板(PCB：printedcircuit board)的配线间的绝缘使用了树脂。为了提高树脂的绝缘性，要求含有与树脂的热膨胀系数一致，而且为高绝缘的物质作为填料。作为其中之一，可举出镁橄榄石。

通过高频率化而信号传递速度提高，但传输损耗也增加。电介质损耗与频率(f)、介质损耗角正切(tanδ)、和相对介电常数(εr)成比例地增加。

介电常数为表示极化大小的值，相对介电常数表示介质的介电常数与真空中的介电常数的比率，都为表示成为电容器成分的特性大小的值。

电介质如果暴露于电磁波则发生极化，通过电波的交变而诱发极化反转，在该反转时发生电介质损耗。所谓介质损耗角正切，是在向电介质施加交流电场时在电介质中电能的一部分变成热而损耗，交流电场的频率越高则越易于受到影响，将由介质损耗角正切引起的损耗称为电介质损耗。

因此为了改善高频特性，要求具有低介质损耗角正切的低相对介电常数材料。要求将含有绝缘材料作为填料的树脂(复合绝缘材料)用于印刷配线基板，并且具有由低相对介电常数材料带来的低介质损耗角正切的基板材料。

作为用作那样的填料的物质，代表性地已知例如二氧化硅，其虽然具有低相对介电常数(4.5左右)，但介质损耗角正切为0.003～0.005左右，并不会带来高频特性的改善。特别是，对于减少电介质损耗而言，与相对介电常数相比介质损耗角正切的贡献大，因此作为代替二氧化硅的材料，要求镁橄榄石那样的低介质损耗角正切的物质。

作为镁橄榄石微粒的制造方法，公开了将以Mg/Si摩尔比为2的量含有水溶性镁盐和胶态二氧化硅的溶液进行干燥，然后在800℃～1000℃下烧成而获得一次粒径为1nm～200nm的镁橄榄石粒子的方法(参照专利文献1)。

此外，记载了在将镁橄榄石粒子等绝缘材料与树脂混合时，在粒子形状为块状或有棱角的形状的情况下，显示复合绝缘材料的韧性降低，且含有球状的绝缘性粒子(参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-222517号公报

专利文献2：日本特开2003-002640号公报

发明内容

发明所要解决的课题