[发明专利]垂直解码器以及相关存储器装置和方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

衬底；

存储器单元阵列，其与所述衬底耦合；及

解码器，其与所述衬底耦合且经配置以作为存取操作的部分将电压施加到所述存储器单元阵列的存取线，所述解码器包括：

第一导电线，其经配置以载送施加到所述存储器单元阵列的所述存取线的所述电压；及

掺杂材料，其沿远离所述衬底的表面的第一方向在所述第一导电线与所述存储器单元阵列的所述存取线之间延伸，所述掺杂材料经配置以选择性地将所述解码器的所述第一导电线与所述存储器单元阵列的所述存取线耦合。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括：

触点，其在所述掺杂材料与所述存储器单元阵列的所述存取线之间延伸，其中所述掺杂材料选择性地将所述解码器的所述第一导电线与所述触点耦合。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述掺杂材料与所述第一导电线直接耦合。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述解码器包括：

导电材料，其与所述掺杂材料耦合且经配置以载送用于导致所述掺杂材料选择性地将所述解码器的所述第一导电线与所述存储器单元阵列的所述存取线耦合的第二电压。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述导电材料与所述掺杂材料的表面直接耦合。

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述导电材料沿平行于所述衬底的所述表面的第二方向延伸。

7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述解码器包括：

第二导电线，其经配置以载送用于导致所述掺杂材料选择性地将所述解码器的所述第一导电线与所述存储器单元阵列的所述存取线耦合的所述第二电压。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述解码器包括：

触点，其在所述第二导电线与所述导电材料之间延伸，所述触点经配置以作为所述存取操作的部分将所述第二电压从所述第二导电线载送到所述导电材料。

9.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述掺杂材料及所述导电材料包括晶体管，所述晶体管经配置以选择性地耦合所述解码器的所述第一导电线及所述存储器单元阵列的所述存取线。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述掺杂材料从由所述衬底的所述表面界定的平面正交地延伸。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述掺杂材料具有第一掺杂区及第二掺杂区，其中所述第一掺杂区与所述衬底的所述表面相距第一距离且所述第二掺杂区与所述衬底的所述表面相距不同于所述第一距离的第二距离。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述掺杂材料是多晶硅。

13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元阵列包括自选择存储器单元。

14.一种存储器装置，其包括：

衬底；及

解码器，其与所述衬底耦合且经配置以作为存取操作的部分选择存储器单元，所述解码器包括：

第一导电线，其经配置以作为所述存取操作的部分载送用于选择所述存储器单元的电压；及

掺杂材料，其沿远离所述衬底的表面的第一方向在所述第一导电线与将所述解码器与所述存储器单元耦合的触点之间延伸且经配置以作为所述存取操作的部分选择性地将所述第一导电线与所述触点耦合。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述第一导电线与所述掺杂材料直接耦合。