[发明专利]非易失性电阻式随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性电阻式随机存取存储器ReRAM，包括：

第一电极；

第二电极；以及

位于所述第一和第二电极之间的电阻式切换/有源层，其中所述切换层含有

壳聚糖，和

铝掺杂/掺入的氧化锌。

2.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述切换/有源层被构造为根据施加的电压执行切换操作。

3.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述切换/有源层是膜的形式。

4.根据权利要求1所述的ReRAM，其中所述切换/有源层被涂覆/施加到所述第一电极上，并且所述第二电极被设置/施加/提供在所述切换/有源层上方，使得所述切换/有源层位于/楔入这两个电极中间。

5.根据权利要求4所述的ReRAM，其中所述第一电极至少部分地由铟锡氧化物制成。

6.根据权利要求5所述的ReRAM，其中所述ReRAM包括玻璃基板，并且其中所述第一电极被涂覆/提供在所述玻璃基板上。

7.根据权利要求6所述的ReRAM，其中所述第一电极由涂覆/提供在所述玻璃基板上的铟锡氧化物制成。

8.根据权利要求7所述的ReRAM，其中所述第二电极至少部分地由金属制成。

9.一种非易失性电阻式随机存取存储器ReRAM切换层成分，包括：

壳聚糖，和

铝掺杂/掺入的氧化锌。

10.一种用于制造非易失性电阻式随机存取存储器ReRAM的方法，其中所述方法包括：

在第一电极和第二电极之间提供切换层，其中所述切换层含有壳聚糖和铝掺杂/掺入的氧化锌。

11.根据权利要求10所述的方法，包括：将所述切换层涂覆到所述第一电极上。

12.根据权利要求10所述的方法，包括：将所述切换层涂覆到基板上，在所述基板上形成/提供所述第一电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述涂覆步骤包括：将所述切换层旋涂到所述基板上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一电极至少部分地由铟锡氧化物制成。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二电极至少部分地由金属制成。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述基板是玻璃基板。

17.根据权利要求16所述的方法，包括：通过制备壳聚糖溶液制备/制作所述切换层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述制备/制作所述切换层的步骤包括：将铝掺杂的氧化锌纳米粒子添加到所述壳聚糖溶液。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述制备/制作所述切换层的步骤还包括：将一层所述溶液旋涂到所述基板上以在所述基板上提供的所述第一电极上方形成所述切换层。

20.一种非易失性电阻式随机存取存储器ReRAM模块/装置，包括根据权利要求1所述的非易失性电阻式随机存取存储器ReRAM。

21.一种非易失性电阻式随机存取存储器ReRAM模块/装置，包括根据权利要求9所述的非易失性电阻式随机存取存储器ReRAM切换层成分。

22.一种用于制造非易失性电阻式随机存取存储器ReRAM模块/装置的方法，其中所述方法包括：

在第一电极和第二电极之间提供切换层，其中所述切换层含有壳聚糖和铝掺杂/掺入的氧化锌。