[发明专利]叠层体、其制造方法和具备该叠层体的电子设备

权利要求书

1.一种叠层体，其为至少具备粘接剂层和阻气层的叠层体，其中，

所述阻气层含有无机材料，并且，

在所述粘接剂层和所述阻气层之间配置有含有光或热固化型的树脂的防溶剂渗透层。

2.根据权利要求1所述的叠层体，其中，

所述防溶剂渗透层的层厚为1～10000nm的范围内。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的叠层体，其中，

所述防溶剂渗透层至少含有硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的叠层体，其中，

所述防溶剂渗透层含有硅氧烷类树脂。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的叠层体，其中，

在所述防溶剂渗透层的所述阻气层侧的表面具有改性层。

6.根据权利要求5所述的叠层体，其中，

所述改性层的所述阻气层侧的表面在温度23℃下对于水的接触角为20～100°的范围内。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的叠层体，其中，

所述改性层的层厚为1～70nm的范围内。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的叠层体，其中，

所述阻气层含有聚硅氮烷及其改性体。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的叠层体，其中，

在所述防溶剂渗透层和阻气层之间具有有机金属氧化物层，所述有机金属氧化物层含有具有下述通式(A)表示的结构的有机金属氧化物，

通式(A)R-[M(OR₁)_y(O-)_x-y]_n-R

式中，R表示氢原子、碳原子数1个以上的烷基、烯基、芳基、环烷基、酰基、烷氧基或杂环基，但是，R可包含氟原子作为取代基，M表示金属原子，OR₁表示氟烷氧基，x表示金属原子的价数，y表示1和x之间的任意整数，n表示缩聚度。

10.根据权利要求9所述的叠层体，其中，

所述M表示的金属原子选自Si、Ti、Zr、Mg、Ca、Sr、Bi、Hf、Nb、Zn、Al、Pt、Ag和Au。

11.根据权利要求9或权利要求10所述的叠层体，其中，

所述有机金属氧化物层至少包含发生了溶胶-凝胶相转移的涂布膜。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的叠层体，其中，

在所述粘接剂层的与防溶剂渗透层相反的一侧具备可剥离的膜。

13.根据权利要求1～11中任一项所述的叠层体，其中，

在所述粘接剂层的与防溶剂渗透层相反的一侧配置有可剥离的膜，并且

在所述阻气层的与防溶剂渗透层相反的一侧进一步配置有粘接剂层。

14.一种叠层体的制造方法，其为至少具备粘接剂层和阻气层的叠层体的制造方法，所述方法具有：

在所述粘接剂层的表面涂布光或热固化型的树脂，形成含有该树脂的防溶剂渗透层的工序；和

在所述防溶剂渗透层的表面涂布无机材料，形成含有该无机材料的阻气层的工序。

15.根据权利要求14所述的叠层体的制造方法，其在形成所述防溶剂渗透层的工序之后，还具有：

对该防溶剂渗透层至少进行紫外线照射处理、闪烧处理、大气压等离子体处理、等离子体离子注入处理或加热处理的工序。

16.根据权利要求14所述的叠层体的制造方法，其在形成所述防溶剂渗透层的工序之后，还具有：

对该防溶剂渗透层进行紫外线照射处理的工序。

17.一种电子设备，其具备：

权利要求1～13中任一项所述的叠层体。