[发明专利]扫描斜角蚀刻装置以及提供分开的共线自由基及离子的技术

权利要求书

1.一种系统，包括：

衬底台，被配置成支撑衬底，其中所述衬底的主表面界定衬底平面；

离子源，所述离子源包括提取组件，所述提取组件取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定非零入射角的轨迹将离子束导向所述衬底；以及

自由基源，所述自由基源取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定所述非零入射角的轨迹将自由基束导向所述衬底，

其中所述衬底台还被配置成沿着第一方向扫描所述衬底，所述第一方向位于所述衬底平面上，同时所述衬底的所述主表面在所述衬底平面内取向。

2.根据权利要求1所述的系统，所述离子源包括第一等离子体源，且所述自由基源包括第二等离子体源。

3.根据权利要求1所述的系统，还包括设置在所述离子源与所述衬底台之间的中和源，所述中和源被布置成将电子引导到所述离子束。

4.根据权利要求1所述的系统，所述离子源包括提取组件，其中所述提取组件还包括多个提取电极。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述多个提取电极沿着所述第一方向彼此交错。

6.根据权利要求4所述的系统，其中所述多个提取电极沿着垂直于所述第一方向的第二方向伸长。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述自由基源包括喷嘴，所述喷嘴沿着垂直于所述第一方向的第二方向伸长。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述喷嘴包括沿着所述第二方向的多个隔板。

9.根据权利要求1所述的系统，其中所述离子束包括发散离子束，并且所述自由基束包括发散自由基束，其中所述发散离子束的离子通量密度及所述发散自由基束的自由基通量密度在整个所述衬底上是均匀的。

10.一种处理衬底的方法，包括：

在衬底台上提供所述衬底，其中所述衬底的主表面界定衬底平面；

沿着相对于所述衬底平面的垂线界定非零入射角的轨迹将离子束导向所述衬底；

沿着相对于所述衬底平面的所述垂线界定所述非零入射角的轨迹将自由基束导向所述衬底；以及

沿着第一方向扫描所述衬底，所述第一方向位于所述衬底平面上，同时所述衬底的所述主表面在所述衬底平面内取向。

11.根据权利要求10所述的方法，其中对所述离子束进行导向包括通过提取组件从离子源提取所述离子束，其中所述提取组件还包括多个提取电极，并且其中所述多个提取电极沿着所述第一方向彼此交错。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述离子束包括发散离子束，并且所述自由基束包括发散自由基束，其中所述发散离子束的离子通量密度及所述发散自由基束的自由基通量密度在整个所述衬底上是均匀的。

13.一种反应性斜角离子束蚀刻系统，包括：

衬底台，被配置成支撑衬底并沿着第一方向扫描所述衬底，所述第一方向位于由所述衬底的主表面界定的衬底平面内；

等离子体室，所述等离子体室包括沿着所述等离子体室的一侧设置并面向所述衬底台的提取组件，所述提取组件包括多个提取电极，所述多个提取电极被取向成提取离子束并沿着相对于所述衬底平面的垂线的非零入射角对所述离子束进行导向；以及

自由基源，所述自由基源被取向成沿着相对于所述衬底平面的所述垂线界定所述非零入射角的轨迹对自由基束进行导向，

其中当沿所述第一方向扫描所述衬底时，所述衬底的给定区域以依序方式暴露于所述离子束及所述自由基束。

14.根据权利要求13所述的反应性斜角离子束蚀刻系统，还包括设置在所述等离子体室与所述衬底台之间的中和源，所述中和源被配置成将电子导向所述离子束。

15.根据权利要求13所述的反应性斜角离子束蚀刻系统，其中所述多个提取电极沿着所述第一方向彼此交错。