[发明专利]晶体生长设备

权利要求书

1.一种用于生长晶体的设备(100)，所述设备(100)包括：

腔室(101)，以及

坩埚(102)，所述坩埚(102)布置在所述腔室(101)的可加热的容纳空间(103)中，

其中，所述坩埚(102)包括内部容积(104)，所述内部容积(104)构造成用于在内部生长晶体，

其中，所述坩埚(102)包括底部(105)，相应的侧壁(106)从所述底部延伸到所述坩埚(102)的顶部部段(107)，

其中，所述坩埚(102)包括至少一个沉积部段(D1-D7)，所述沉积部段构造成用于附着籽晶(108)，

其中，所述沉积部段(D1-D7)形成在所述坩埚(102)的所述侧壁(106)和所述顶部部段(107)中的至少一者上。

2.根据权利要求1所述的设备(100)，

其中，所述底部(105)没有用于籽晶(108)的沉积部段(D1-D7)。

3.根据权利要求1或2所述的设备(100)，

其中，所述坩埚(102)沿着竖向方向在所述底部(105)与所述顶部部段(107)之间延伸。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的设备(100)，

其中，所述坩埚(102)包括多个沉积部段(D1-D7)，每个沉积部段构造成用于附着籽晶(108)，

其中，所述沉积部段(D1-D7)彼此间隔开并且形成在所述坩埚(102)的所述侧壁(106)和所述顶部部段(107)中的至少一者上。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的设备(100)。

其中，所述坩埚(102)包括自内表面延伸到所述内部容积(104)中的至少一个突起(109)，特别是包括从所述坩埚(102)的所述侧壁(106)或所述顶部部段(107)延伸到所述内部容积(104)中的至少一个突起(109)，

其中，所述沉积部段(D1-D7)形成在所述突起(109)处。

6.根据权利要求5所述的设备(100)，

其中，所述坩埚(102)包括从所述坩埚(102)的所述内表面延伸到所述内部容积(104)中的多个突起(109)，

其中，所述突起(109)彼此间隔开。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的设备(100)。

其中，所述坩埚(102)包括至少一个喷嘴(110)，

其中，所述喷嘴(110)构造成用于将反应气体/液体(111)注入到所述坩埚(102)的所述内部容积(104)中。

8.根据权利要求7所述的设备(100)，

其中，所述至少一个喷嘴(110)构造成用于朝着所述至少一个沉积部段(D1-D7)中的一个沉积部段的方向喷射所述反应气体/液体(111)。

9.根据权利要求7或8所述的设备(100)，

其中，所述坩埚(102)包括部分地在所述坩埚(102)的所述底部(105)与所述顶部部段(107)之间延伸的喷射柱元件(112)，

其中，所述喷射柱元件(112)包括所述至少一个喷嘴(110)。

10.根据权利要求9所述的设备(100)，

其中，所述喷射柱元件(112)与形成在所述坩埚(102)的所述底部(105)中的反应气体/液体接口(113)联接。

11.根据权利要求1至10中的一项所述的设备(100)，

其中，所述坩埚(102)包括用于注入注入气体/液体的注入接口(116)，

其中，所述注入接口(116)特别地能够联接至用于调节所述内部容积(104)内部的压力的压力调节阀(120)。