[发明专利]确定整个图案形成装置或衬底上的标记布局

说明书

一种用于确定整个图案形成装置或衬底上的标记位置的布局的方法，该方法包括：a)获取(502)被配置为对与在一个或多个标记位置处的图案形成装置或衬底上执行的测量相关联的数据进行建模的模型；b)获取(504)包括初始标记位置的初始标记布局(506)；c)通过去除一个或多个标记位置来减小(508)初始标记布局以获取多个减少的标记布局(510)，每个减少的标记布局是通过从初始标记布局中去除不同标记位置而获取的；d)针对上述多个减少的标记布局中的每个减少的标记布局确定(512)与模型的使用相关联的模型不确定性度量；以及e)基于其相关联的模型不确定性度量来选择(514)一个或多个减少的标记布局(516)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月26日提交的EP申请18208217.2和于2019年4月29日提交的EP申请19171485.6的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种用于确定整个图案形成装置或衬底上的标记位置的布局的方法、相关联的设备和计算机程序。

背景技术

光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常是施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将图案形成装置(其替代地称为掩模或掩模版)用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干管芯的一部分)上。图案的转印通常是经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。通常，单个衬底将包括连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来照射每个目标部分，同时同步地平行或反平行于该方向扫描衬底。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底上。

不管采用哪种类型的设备，图案在衬底上的准确放置都是减小可以通过光刻法产生的电路部件和其他产品的尺寸的主要挑战。特别地，准确测量已经被放置在衬底上的特征的挑战是关键步骤，其是能够将特征的连续层足够准确地叠置放置以生产高产率的工作器件的关键步骤。通常，在当今的亚微米半导体器件中，所谓的重叠应当在几十纳米以内，而在最关键的层中则应当达到几十纳米。

光刻设备的另一挑战是以足够的聚焦均匀性来曝光衬底上的所有图案。这一点很重要，这样，除了在衬底的最边缘处，整个衬底的产率都不会遭受散焦故障的影响。衬底上的印刷图像仅在曝光的最佳聚焦附近的有限(垂直)范围内才具有足够的对比度。散焦曝光不仅会导致对比度降低，而且在某些情况下会导致图案的关键尺寸发生变化。半导体加工设备和处理(例如，光刻、蚀刻、烘烤、抛光和退火)中的缺陷会在整个衬底上引入缺陷。缺陷的图案称为工艺指纹。这样的缺陷会导致工艺失真，从而可能导致重叠或聚焦错误。直接根据光刻设备的可校正参数来表征工艺指纹是正常的。

因此，现代光刻设备在实际曝光或以其他方式在目标位置处对衬底进行图案化的步骤之前，需要进行大量测量或“映射”操作。这些操作很费时，限制了光刻设备的生产量，因此增加了半导体集成电路或其他产品的单位成本。

诸如聚焦或重叠指纹等工艺指纹通过在衬底上的位置处放置和测量特征来确定。

随着图案特征变得越来越小以及对重叠性能的要求变得越来越高，已经并且继续开发所谓的高级对准模型和聚焦模型以对“晶片网格”的畸变进行建模和校正。这些先进的模型取决于在整个衬底上测量越来越多的目标特征。最终，然而，仅可以测量有限数目的可用目标特征，而不会过度限制整个光刻过程的生产量。整个衬底上的聚焦变化具有很高的发生频率，这要求每个曝光图像必须被放置和测量一定数目的目标特征，以便以足够的准确性捕获聚焦指纹。

选择衬底上用于测量或放置特征的最佳位置集合可以提高确定工艺指纹的准确性。