[发明专利]倒角部处理剂组合物和晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种倒角部处理剂组合物，其为用于对晶圆的倒角部进行处理的、含有甲硅烷基化剂的倒角部处理剂组合物，

按照下述步骤(1)～(4)测得的表面改质指标Y与表面改质指标Z满足0.5≤Y/Z≤1.0，

(步骤)

(1)利用该倒角部处理剂组合物对在表面具有厚度1μm的硅氧化膜(SiO₂膜)的基板进行处理，处理条件如下：将所述基板在室温下浸渍于1质量％的氢氟酸水溶液中10分钟，接着，在纯水中浸渍1分钟、在2-丙醇(iPA)中浸渍1分钟，接着，在该倒角部处理剂组合物中以25℃浸渍1分钟，接着，在iPA中浸渍1分钟，最后，将所述基板从iPA中取出，吹送空气，将所述基板表面的iPA去除，

(2)用水与iPA的混合比率不同的多个测定用液体，根据Zisman Plot法求出(1)处理后的硅氧化膜的临界表面张力，将得到的临界表面张力的值(mN/m)作为“表面改质指标Y”，

(3)利用该倒角部处理剂组合物对在表面具有厚度50nm的硅氮化膜(SiN膜)的基板进行处理，处理条件如下：将所述基板在室温下浸渍于1质量％的氢氟酸水溶液中10分钟，接着，在纯水中浸渍1分钟，在iPA中浸渍1分钟，接着，在该倒角部处理剂组合物中以25℃浸渍1分钟，接着，在iPA中浸渍1分钟，最后，将所述基板从iPA中取出，吹送空气，将所述基板表面的iPA去除，

(4)用水与iPA的混合比率不同的多个测定用液体，根据Zisman Plot法求出(3)处理后的硅氮化膜的临界表面张力，将得到的临界表面张力的值(mN/m)作为“表面改质指标Z”。

2.根据权利要求1所述的倒角部处理剂组合物，其中，

所述表面改质指标Y满足15mN/m≤Y≤26mN/m。

3.根据权利要求1或2所述的倒角部处理剂组合物，其中，

所述甲硅烷基化剂包含下述通式[1]所示的硅化合物，

R¹_aSi(H)_bX_4-a-b [1]

所述通式[1]中，R¹各自彼此独立地是包含一部分或全部氢元素任选被氟元素所取代的碳数为1～18的烃基的有机基团，X各自彼此独立地是键合于Si元素的元素为氮、氧、碳、或卤素的1价的有机基团，a为1～3的整数，b为0～2的整数，a与b的总计为1～3。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的倒角部处理剂组合物，其中，

所述甲硅烷基化剂包含具有三烷基甲硅烷基的硅化合物。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的倒角部处理剂组合物，其中，

包含有机溶剂。