[发明专利]通过超导体中的磁场进行的量子位调谐

权利要求书

1.一种装置，包括：

第一层，被配置为产生磁场，所述第一层包括在低温温度范围内表现出超导性的材料；以及

量子处理器芯片的量子位，其中该第一层被配置为与该量子位磁性地相互作用，从而使得该第一层的第一磁通量通过第一频移值引起该量子位的第一共振频率的第一变化。

2.如权利要求1所述的装置，进一步包括：

加热元件，其经配置以将所述第一层的一部分加热到临界温度以上；以及

磁性元件，被配置为将磁场施加到所述第一层。

3.如权利要求2所述的装置，其中，所述加热元件是电阻器。

4.如权利要求2所述的装置，其中该加热元件是光源。

5.如权利要求2所述的装置，所述磁性元件包括：

一种超导材料的导线，该导线被形成为线圈结构。

6.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述加热元件是多个加热元件中的一个，每个加热元件配置成将所述第一层的对应部分加热到临界温度以上。

7.权利要求6的装置，其中该第一层的每个部分被配置为与该量子处理器的多个量子位中的对应的量子位磁性地相互作用，从而使得每个部分的磁通量引起该对应的量子位的共振频率的改变。

8.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一层在20开尔文与0.01开尔文之间的温度范围内操作时产生所述第一磁通量，包括所述范围的两端。

9.如权利要求1所述的装置，进一步包括：

第二层，被配置为产生磁场，所述第二层包括在低温温度范围内表现出超导性的材料。

10.如权利要求1所述的装置，进一步包括：

磁性元件，所述磁性元件设置在芯片的表面上，其中，所述第一层形成在所述芯片的相对表面上。

11.权利要求1的装置，其中该量子位形成在该量子处理器芯片的第一表面上；并且

其中该第一层形成在该量子处理器芯片的相反的表面上。

12.如权利要求1所述的装置，进一步包括：

磁性元件，被配置为将磁场施加到所述第一层，所述磁性元件布置在第一芯片上；并且

其中该第一层被布置在第二芯片上。

13.一种制造量子位调谐装置的方法，该方法包括：

形成被配置为产生磁场的第一层，所述第一层包括在低温温度范围内表现出超导性的材料；并且

在量子处理器芯片上形成量子位，其中该第一层被配置为与该量子位磁性地相互作用，这样使得该第一层的第一磁通量通过第一频移值引起该量子位的第一谐振频率的第一变化。

14.如权利要求13所述的方法，进一步包括：

形成被配置为产生磁场的第二层，所述第二层包括在低温温度范围内表现出超导性的材料。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一层在20开尔文和0.01开尔文之间的温度范围内操作时产生所述第一磁通量，包括所述范围的两端。

16.如权利要求13所述的方法，进一步包括：

将磁性元件布置在芯片的表面上，其中，所述第一层形成在所述芯片的相对表面上。

17.如权利要求13的方法，其中该量子位形成在该量子处理器芯片的第一表面上；并且

其中该第一层形成在该量子处理器芯片的相反的表面上。