[发明专利]调适信道电流

说明书

描述使用调适信道上的电流操作存储器单元的方法、系统和装置。可在信道上用信号传送第一逻辑值与在所述信道上用信号传送第二(例如后一)逻辑值之间的转变时段期间调适所述信道上的电流。调适所述电流可包含在所述转变时段期间增加或减小所述信道上的所述电流。调适程度可基于所述第一逻辑值和所述后一逻辑值之间的差。在一些情况下，逻辑电路可被配置成确定所述第一逻辑值和后一逻辑值之间的差。所述逻辑电路可被进一步配置成将所述差传送到自适应驱动器。并且所述自适应驱动器可基于所述传送的差调适所述信道的电流。

交叉引用

本专利申请案主张布罗克斯(Brox)等人在2019年9月23日申请的标题为“调适信道电流(ADAPTING CHANNEL CURRENT)”的美国专利申请案第16/579,275号和布罗克斯等人在2018年10月12日申请的标题为“调适信道电流(ADAPTING CHANNEL CURRENT)”的美国临时专利申请案第62/744,907号的优先权，所述申请案中的每一篇均转让给本受让人。

背景技术

下文大体上涉及操作存储器阵列，且更具体来说，涉及调适信道上的电流。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过对存储器装置的不同状态进行编程来存储信息。举例来说，二进制装置具有通常标示为逻辑“1”或逻辑“0”的两个逻辑状态。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取所存储的信息，电子装置的组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储的状态。为了存储信息，电子装置的组件可以在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM、PCM、RRAM)可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是如此。易失性存储器装置(例如，DRAM)除非被外部电源定期刷新，否则可能随时间丢失其存储的状态。

其中调制符号各自表示多于一个位的信息的非二进制调制方案可以被称作多电平调制方案，且根据此类调制方案的信令技术可以被称作多电平信令。存储器装置可使用多电平信令在信道上彼此通信。增强多电平通信并且确保有效且高效地传送数据的程序是所要的。

附图说明

图1说明如本文中所公开的使用支持调适信道上的电流的一或多个存储器装置的示范性系统的方面。

图2说明如本文中所公开的支持调适信道上的电流的示范性存储器裸片的方面。

图3说明如本文中所公开的支持调适信道上的电流的示范性存储器系统的方面。

图4说明如本文中所公开的用于调适信道上的电流的示范性图式的方面。

图5A和5B说明如本文中所公开的支持调适信道上的电流的示范性存储器系统的方面。

图6A和6B说明如本文中所公开的支持调适信道上的电流的示范性转换速率增强电路的方面。

图7说明如本文中所公开的支持调适信道上的电流的存储器控制器的框图。

图8说明如本文中所公开的用于调适信道上的电流的一或多种方法的流程图。

具体实施方式

信息可在由各自表示逻辑值的一系列电压电平组成的信号中从一个电子装置传送到另一电子装置。在一些情况下，可在指定时间段(例如，取样时段)内传送电压电平中的每一个。在一些实例中，可通过用信号传送可表示m位逻辑值的额外电压电平来增加在每一时间段内传送的信息量(或信息率)，这也可被称作多电平信令。