[发明专利]Cr-Si系烧结体有效
| 申请号： | 201980075791.5 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113165984B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 原浩之;仓持豪人;伊藤谦一 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C01B33/06;C04B35/626;C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 王刚;龚敏 |
| 地址： | 日本国山口县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cr si 烧结 | ||
【权利要求书】：
1.一种Cr-Si系烧结体，其为包含Cr、Si的Cr-Si系烧结体，其特征在于，根据X射线衍射确定的结晶结构由CrSi2、Si构成，CrSi2相在块体中存在60wt%以上，烧结体密度为95%以上，CrSi2相的平均粒径为60μm以下，
所述Cr-Si系烧结体中除Cr和Si之外的金属杂质的总量在0.05wt%以下，
所述Cr-Si系烧结体通过使用Cr和Si的快淬合金粉末为原料而获得。
2.根据权利要求1所述的Cr-Si系烧结体，其特征在于，弯曲强度为100MPa以上。
3.根据权利要求1或2所述的Cr-Si系烧结体，其特征在于，块体中的氧量为1wt%以下。
4.一种溅射靶材，其特征在于，包含权利要求1~3中任一项所述的Cr-Si系烧结体。
5.一种薄膜的制造方法，其特征在于，使用权利要求4所述的溅射靶材进行溅射。
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