[发明专利]使用自限制和溶解度受限反应的原子层湿法蚀刻

权利要求书

1.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：

接收该衬底，该衬底具有暴露的第一材料，该第一材料包括多晶材料；以及

选择性蚀刻该多晶材料，该选择性蚀刻包括：

a)通过使用氧化剂使该多晶材料氧化来对该多晶材料的表面进行化学改性，

b)将络合剂与该多晶材料的改性表面层结合，以及

c)通过将该改性表面层暴露于液相化学溶液下来选择性去除该多晶材料的络合结合的改性表面层，其中，该选择性去除包括将该多晶材料的改性表面层暴露于水性或非水性溶液下以溶解该改性层，并且

其中，a)、b)和c)中的至少两个时间不重叠。

2.如权利要求1所述的方法，其中，a)和b)时间不重叠。

3.如权利要求1所述的方法，其中，a)和b)在时间上至少部分重叠。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该氧化剂是氧饱和的化学溶液，该氧饱和的化学溶液包括溶解在水、乙醇或酮中的氧。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该络合剂溶解于丙酮或异丙醇中。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该多晶材料是过渡金属。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该多晶材料包括钌(Ru)或钴(Co)。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该络合剂包括柠檬酸盐。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括在b)之后并且在c)之前用溶剂冲洗该衬底。

10.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：

接收该衬底，该衬底具有暴露的第一材料，该第一材料包括多晶材料；以及

选择性蚀刻该多晶材料，该选择性蚀刻包括：

a)通过使用氧化剂使该多晶材料氧化来对该多晶材料的表面进行化学改性，该氧化剂包括溶解在水、乙醇或丙酮中的氧，

b)使用络合剂将络合剂与该多晶材料的改性表面层结合，该络合剂溶解在丙酮或异丙醇中，以及

c)通过将该改性表面层暴露于液相化学溶液下来选择性去除该多晶材料的络合结合的改性表面层，其中，该选择性去除包括将该多晶材料的改性表面层暴露于水性溶液下以溶解该改性层，并且

其中、b)和c)时间不重叠。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该多晶材料是过渡金属。

12.如权利要求10所述的方法，其中，该多晶材料包括钌(Ru)或钴(Co)。

13.如权利要求10所述的方法，其中，该络合剂包括柠檬酸盐。

14.如权利要求10所述的方法，进一步包括在b)之后并且在c)之前用溶剂冲洗该衬底。

15.一种蚀刻衬底的方法，该方法包括：

接收具有由多晶材料组成的第一材料和由不同材料组成的第二材料的衬底，其中，该多晶材料的暴露表面具有用第一表面粗糙度值表征的表面粗糙度；

通过以下方式将该表面粗糙度减小到第二表面粗糙度：

选择性蚀刻该多晶材料，该选择性蚀刻包括

a)通过使用氧化剂使该多晶材料氧化来对该多晶材料的表面进行化学改性，

b)将络合剂与该多晶材料的改性表面层结合，以及

c)通过将该改性表面层暴露于液相化学溶液下来选择性去除该多晶材料的络合结合的改性表面层，其中，该选择性去除包括将该多晶材料的改性表面层暴露于水性溶液下以溶解该改性层，并且

其中，a)、b)和c)中的至少两个时间不重叠。