[发明专利]电子电路及制造方法

权利要求书

1.一种电子电路(100)，包括：

第一电源轨(1)；

第二电源轨(2)；以及

场效应晶体管(3)FET，所述场效应晶体管包括：

第一端子(31)，其直接或间接耦合到所述第一电源轨；

第二端子(32)，其直接或间接耦合到所述第二电源轨；

半导体材料的沟道(33)，其连接所述第一端子与所述第二端子；

栅极端子(34)，能够向其施加电压以控制所述沟道的导电性，所述沟道提供从所述第一端子到所述第二端子的导电路径；以及

栅极电介质(35)，其被布置成使所述栅极端子与所述沟道绝缘，所述电子电路的特征在于，所述电路包括介电材料层或其他介电材料体(4)，所述栅极电介质(35)是所述介电材料层或其他介电材料体的第一部分(41)，其特征还在于，所述第一电源轨包括布置在所述介电材料层或其他介电材料体的第二部分(42)的第一侧(421)上的第一轨部分(11)，并且所述第二电源轨包括布置在所述介电材料层或其他介电材料体的所述第二部分(42)的第二侧(422)上的第二轨部分(22)，所述第二侧与所述第一侧相对，由此所述介电材料层或其他介电材料体的所述第二部分(42)将所述第一轨部分和第二轨部分(11、22)隔开，并且所述第一轨部分和第二轨部分为所述电路提供电容(或者换句话说，形成电容器)。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述介电材料层或其他介电材料体(4)是层。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述层的厚度在1nm至500nm的范围内，例如5nm至50nm。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中所述介电材料具有大于3.9，例如大于4、5、6、7、12或19的介电常数。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中所述FET是薄膜晶体管。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中所述第一端子和第二端子(31、32)以及所述第一轨部分(11)分别基本平坦并且彼此共面。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述第一端子(31)直接连接到所述第一轨部分。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述第一端子(31)和所述第一轨部分(11)是平坦的导电材料层或其他导电材料体的相应部分。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中所述栅极端子(34)和所述第二轨部分(22)分别基本平坦并且彼此共面。

10.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中所述第一轨部分(11)与所述第一侧(421)直接接触。

11.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中所述第二轨部分(22)与所述第二侧(422)直接接触。

12.根据前述权利要求中任一项所述的电路，还包括：天线(101)，其被布置成接收无线信号；整流装置(102)，其连接到所述天线以及所述第一电源轨和第二电源轨，并且被布置成根据所接收的无线信号在所述第一电源轨和第二电源轨之间(跨所述第一电源轨和第二电源轨)产生DC电压。

13.根据权利要求12所述的电路，还包括电容器(103)，其连接在所述第一电源轨和第二电源轨之间以对所述DC电压进行平滑处理。