[发明专利]发光器件、发光设备、显示装置、电子设备及照明装置在审
| 申请号: | 201980073482.4 | 申请日: | 2019-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN113039660A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
| 发明(设计)人: | 大泽信晴;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张桂霞;林毅斌 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 设备 显示装置 电子设备 照明 装置 | ||
1.一种在一对电极间包括发光层的发光器件,
其中,所述发光层包含第一材料及第二材料,
所述第一材料能够将三重激发能转换为发光且具有五元环骨架,
所述第二材料能够将单重激发能转换为发光且具有发光体及五个以上的保护基,
所述发光体是稠合芳香环或稠合杂芳环,
所述五个以上的保护基分别独立地具有碳原子数为1以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个,
并且,所述第一材料的T1能级高于所述第二材料的S1能级。
2.根据权利要求1所述的发光器件,
其中所述五个以上的保护基中的至少四个分别独立为碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个。
3.一种在一对电极间包括发光层的发光器件,
其中,所述发光层包含第一材料及第二材料,
所述第一材料能够将三重激发能转换为发光且具有五元环骨架,
所述第二材料能够将单重激发能转换为发光且具有发光体及至少四个保护基,
所述发光体是稠合芳香环或稠合杂芳环,
所述四个保护基不直接键合于所述稠合芳香环或所述稠合杂芳环,
所述四个保护基分别独立地具有碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个,
并且,所述第一材料的T1能级高于所述第二材料的S1能级。
4.一种在一对电极间包括发光层的发光器件,
其中,所述发光层包含第一材料及第二材料,
所述第一材料能够将三重激发能转换为发光且具有五元环骨架,
所述第二材料能够将单重激发能转换为发光,
所述第二材料具有发光体及两个以上的二芳基氨基,
所述发光体是稠合芳香环或稠合杂芳环,
所述稠合芳香环或所述稠合杂芳环键合于所述两个以上的二芳基氨基,
所述两个以上的二芳基氨基中的芳基分别独立地具有至少一个保护基,
所述保护基具有碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个,
并且,所述第一材料的T1能级高于所述第二材料的S1能级。
5.一种在一对电极间包括发光层的发光器件,
其中,所述发光层包含第一材料及第二材料,
所述第一材料能够将三重激发能转换为发光且具有五元环骨架,
所述第二材料能够将单重激发能转换为发光且具有发光体及两个以上的二芳基氨基,
所述发光体是稠合芳香环或稠合杂芳环,
所述稠合芳香环或所述稠合杂芳环键合于所述两个以上的二芳基氨基,
所述两个以上的二芳基氨基中的芳基分别独立地具有至少两个保护基,
所述保护基具有碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个,
并且,所述第一材料的T1能级高于所述第二材料的S1能级。
6.根据权利要求4或5所述的发光器件,
其中所述二芳基氨基为二苯基氨基。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





