[发明专利]包含具有氢气势垒材料的垂直晶体管的装置及相关方法

权利要求书

1.一种装置，其包括：

垂直晶体管，其包括：

半导电结构，其包括：

源极区域及漏极区域，所述源极区域及所述漏极区域各自个别地包括经配置以抑制氢气通过其渗透的至少一种导电材料；及

沟道区域，其垂直介于所述源极区域与所述漏极区域之间；

至少一个栅极电极，其横向邻近所述半导电结构的所述沟道区域；及

电介质材料，其横向介于所述半导电结构与所述至少一个栅极电极之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域中的至少一者是非均质的。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域中的一或多者的所述至少一种导电材料包括元素Ir、IrO_x及TiAlN中的一或多者。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域中的一或多者的所述至少一种导电材料包括元素Ir及IrO_x。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域中的一或多者的所述至少一种导电材料包括TiAlN。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域各自个别地具有在从约到约的范围内的厚度。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域具有彼此不同的材料组合物。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述沟道区域包括氧化锌锡、氧化铟锌、氧化锌、铟镓锌氧化物、铟镓硅氧化物、氧化铟、氧化锡、氧化钛、氮氧化锌、氧化镁锌、锆铟锌氧化物、铪铟锌氧化物、锡铟锌氧化物、铝锡铟锌氧化物、硅铟锌氧化物、氧化锌锡、铝锌锡氧化物、镓锌锡氧化物、锆锌锡氧化物及铟镓硅氧化物中的一或多者。

9.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括电绝缘材料，所述电绝缘材料经配置以抑制氢气通过其渗透、上覆于所述垂直晶体管的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述电绝缘材料包括Al₂O₃。

11.根据权利要求9所述的装置，其进一步包括上覆于所述电绝缘材料且与所述半导电支柱电连通的数字线。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导电结构包括包含所述源极区域、所述漏极区域及所述沟道区域的半导电支柱。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导电结构包括：

所述漏极区域；及

半导电支柱，其包括所述源极区域及所述沟道区域，所述半导电支柱具有小于所述漏极区域的横向尺寸。

14.根据权利要求14所述的装置，其中所述漏极区域在数字线上方连续地延伸。

15.一种制造装置的方法，其包括：

形成堆叠，所述堆叠包括：

第一导电材料；

第二导电材料，其在所述第一导电材料上方，所述第二导电材料经配置以抑制氢物种通过其渗透；及

半导电材料，其在所述第二导电材料上方；

图案化至少所述半导电材料以形成支柱结构；及

形成栅极电介质材料及栅极电极以横向邻近所述半导电支柱，所述栅极电介质材料介于所述栅极电极与所述支柱结构之间。