[发明专利]无电镍镀敷溶液

权利要求书

1.一种无电镍镀敷溶液，其包含

-镍离子源，

-钼离子源，

-钨离子源，

-次磷酸根离子源，

-至少一种络合剂，

-浓度为0.38-38.00μmol/L的至少一种有机含硫化合物，和

-浓度为0.67-40.13mmol/L的至少一种氨基酸，

其中所述溶液不包含任何包含硼的还原剂，并且

其中所述氨基酸为不含硫的氨基酸。

2.根据权利要求1所述的镀敷溶液，其中氨基酸与有机含硫化合物的摩尔比为282:1至14,079:1。

3.根据权利要求1或2所述的镀敷溶液，其中次磷酸根离子的浓度为0.09-0.27mol/L。

4.根据权利要求1或2所述的镀敷溶液，其中镍离子的浓度为0.067-0.133mol/L。

5.根据权利要求1或2所述的镀敷溶液，其中钼离子的浓度为1.05-4.18mmol/L。

6.根据权利要求1或2所述的镀敷溶液，其中钨离子的浓度为12.1-109.2mmol/L。

7.根据权利要求1或2所述的镀敷溶液，其中所述氨基酸选自由甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸和异亮氨酸组成的群组。

8.根据权利要求1或2所述的镀敷溶液，其中所述有机含硫化合物选自由以下组成的群组：N,N-二甲基-二硫代氨甲酰基丙基磺酸、3-巯基丙烷磺酸、3,3-二硫代双-1-丙烷磺酸、3-(2-苯并噻唑基巯基)丙烷磺酸、3-[(乙氧基-硫酮基甲基)硫代]-1-丙烷磺酸、3-S-异锍脲丙烷磺酸盐、二乙基二硫代氨甲酸钠、硫代二乙酸、二硫代二乙酸、硫代二乙醇酸、二硫代二乙醇酸、硫代硫酸盐、硫脲、硫代氰酸盐、半胱氨酸和胱氨酸。

9.根据权利要求1或2所述的镀敷溶液，其中所述络合剂选自由以下组成的群组：柠檬酸、异柠檬酸、EDTA、EDTMP、HDEP和焦磷酸盐。

10.一种在衬底(2)上无电镀敷镍合金层(5)的方法，所述方法包含使所述衬底与根据权利要求1至9中一或多个权利要求所述的无电镍镀敷溶液接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述衬底是晶片。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述衬底包含铜层(4)或铝层，其中将所述镍合金层(5)镀敷于所述铜层(4)或所述铝层上。

13.一种由根据权利要求1至9中一或多个权利要求所述的无电镍镀敷溶液得到的四元镍合金层，其包含

-81.5至98.4wt％镍

-1至10wt％钼

-0.1至4wt％钨

-0.5至4.5wt％磷，

其中所述镍合金层具有在-40至+120N/mm²范围内的正应力，其通过以下弯带法测量：于Cu应力带上沉积，随后使用沉积物应力分析仪A STM标准B975测定应力。

14.根据权利要求13所述的四元镍合金层，其中所述Cu应力带是铜铁合金PN:1194。

15.一种物件(1)，其包含镍合金层(5)，其中所述镍合金层为根据权利要求13所述的镍合金层或根据权利要求10或12所述的方法获得的镍合金层。

16.根据权利要求15所述的物件，其中所述物件是半导体芯片或晶片。

17.根据权利要求15所述的物件，其中所述物件包含如下次序的层堆叠：

铜层或铝层，随后为所述镍合金层和钯和/或金层。