[发明专利]存储器中的数据重定位

说明书

本公开包含用于存储器中的数据重定位的设备、方法和系统。实施例包含控制器以及具有存储器单元的多个物理单元的存储器。所述物理单元中的每一个具有与其相关联的不同顺序物理地址，第一数目的所述物理单元具有存储于其中的数据，第二数目的所述物理单元不具有存储于其中的数据，且与所述第二数目的物理单元中的每一相应者相关联的所述物理地址是所述序列中的不同连续物理地址。所述控制器可将存储于所述第一数目的物理单元中的所述物理单元中的数据重定位到与所述第二数目的物理单元相关联的所述连续物理地址中的最后一个，所述物理单元在所述序列中的物理地址紧邻于与所述第二数目的物理单元相关联的所述连续物理地址中的第一个之前。

技术领域

本公开大体上涉及半导体存储器和方法，且更具体地说涉及存储器中的数据重定位。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路和/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据，且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可通过当不被供电时保存所存储的数据来提供永久性数据，并且可包含NAND闪存存储器、NOR闪存存储器、只读存储器(ROM)，以及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)，等等。

存储器装置可组合到一起形成固态驱动器(SSD)、嵌入式多媒体卡(e.MMC)，和/或通用闪存存储(UFS)装置。SSD、e.MMC和/或UFS装置可包含非易失性存储器(例如，NAND闪存存储器和NOR闪存存储器)，和/或可包含易失性存储器(例如，DRAM和SDRAM)，以及各种其它类型的非易失性和易失性存储器。非易失性存储器可用于广泛范围的电子应用中，例如个人计算机、便携式存储器棒、数码相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器，例如MP3播放器、电影播放器等等。

闪存存储器装置可包含将数据存储于例如浮动栅极的电荷存储结构中的存储器单元。闪存存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。电阻可变存储器装置可包含可基于存储元件(例如，具有可变电阻的电阻性存储器元件)的电阻状态存储数据的电阻式存储器单元。

存储器单元可布置成阵列，且阵列架构中的存储器单元可经编程为目标(例如，所要)状态。举例来说，电荷可置于快闪存储器单元的电荷存储结构(例如，浮动栅极)上或从其移除以将所述单元编程到特定数据状态。所述单元的电荷存储结构上的所存储电荷可指示所述单元的阈值电压(Vt)。可通过感测快闪存储器单元的电荷存储结构上的所存储电荷(例如，Vt)来确定所述单元的状态。

作为额外实例，电阻性存储器单元可被编程为通过改变电阻性存储器元件的电阻电平来存储对应于目标数据状态的数据。可通过在特定持续时间内将电场或能量源(例如正或负电脉冲(例如，正或负电压或电流脉冲))施加到电阻性存储器单元(例如，所述单元的电阻性存储器元件)，将所述单元编程到目标数据状态(例如，对应于特定电阻状态)。可通过响应于施加的询问电压而感测到通过电阻性存储器单元的电流，确定所述单元的状态。基于所述单元的电阻电平而变化的所感测电流可指示所述单元的状态。

单电平存储器单元(SLC)可被编程为两个不同的数据状态中的一个目标数据状态，其可由二进制单位1或0表示。一些快闪存储器单元和电阻性存储器单元可被编程为大于两个数据状态(例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110和1110)中的一个目标数据状态。此类单元可被称为多状态存储器单元、多单位单元或多电平单元(MLC)。MLC可允许制造较高密度存储器，而不会增加存储器单元的数目，这是因为每一单元可表示多于一个数字(例如，多于一个位)。

附图说明

图1说明根据本公开的实施例的具有数个物理块的存储器阵列的一部分的图式。