[发明专利]半导体装置、半导体模块、继电器单元、电池单元以及车辆

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备晶体管，该晶体管具有与具有正极和负极的电池电连接的第一端子、与逆变电路电连接的第二端子以及接收来自控制电路的信号的控制端子，并且接收来自所述控制电路的信号而动作，其特征在于，

该半导体装置构成为，通过控制对所述控制端子施加的电压，容许从所述第一端子向所述第二端子的电流的供给，并且容许从所述第二端子向所述第一端子的电流的供给，

控制对所述控制端子施加的电压使其低于所述晶体管全导通时施加于所述控制端子的电压，且使所述晶体管的所述第一端子与所述第二端子间的电压随着时间经过而阶段性地变化，

所述第一端子与所述第二端子之间的耐压为所述电池与所述逆变电路之间的电压以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管是IGBT，

所述半导体装置还具备与所述IGBT的所述第一端子和所述第二端子反并联连接的二极管，

所述IGBT的集电极成为所述第一端子，所述IGBT的发射极成为所述第二端子，所述IGBT的栅极成为所述控制端子。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述IGBT和所述二极管被设置为单独的半导体芯片，

所述IGBT和所述二极管被配置在形成于绝缘基板的表面的配线部上，导线连接至所述半导体芯片的各个表面电极。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述IGBT和所述二极管由同一半导体基板形成。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备与所述IGBT的所述第一端子和所述第二端子并联连接的MOSFET，

所述MOSFET包括作为续流二极管的体二极管。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述IGBT和所述MOSFET同时导通，同时截止。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管是IGBT，

所述半导体装置还具备与所述IGBT的所述第一端子和所述第二端子并联连接的MOSFET，

所述MOSFET包括作为续流二极管的体二极管。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述IGBT和所述MOSFET同时导通，同时截止。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管是MOSFET，

所述半导体装置还具备与所述MOSFET的所述第一端子和所述第二端子反并联连接的二极管。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述MOSFET和所述二极管被设置为单独的半导体芯片，

所述MOSFET和所述二极管被配置在形成于绝缘基板的表面的配线部上，导线连接至所述半导体芯片的各个表面电极。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述MOSFET包含作为续流二极管的体二极管。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管是包含作为续流二极管的体二极管的MOSFET。