[发明专利]半导体用膜状黏合剂、半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980070535.7 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN113169141A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 林出明子;秋吉利泰;茶花幸一 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;C09J133/00;C09J163/00;C09J171/10;C09J175/04;C09J201/00;H01L21/52;H01L21/60;H01L21/301;C09J7/35 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 用膜状 黏合剂 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体用膜状黏合剂，包括：第1热固化性黏合剂层；以及第2热固化性黏合剂层，设置于所述第1热固化性黏合剂层上，其中，
所述第1热固化性黏合剂层含有Tg小于35℃的第1热塑性树脂，
所述第2热固化性黏合剂层含有Tg为35℃以上的第2热塑性树脂。
2.根据权利要求1所述的半导体用膜状黏合剂，其中，
固化后的35℃下的弹性模量为5MPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体用膜状黏合剂，其中，
所述第2热塑性树脂的Tg为60℃以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体用膜状黏合剂，其中，
所述第2热塑性树脂包含苯氧基树脂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体用膜状黏合剂，其中，
所述第1热塑性树脂包含(甲基)丙烯酸树脂或聚氨酯树脂。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体用膜状黏合剂，其中，
所述第1热固化性黏合剂层及所述第2热固化性黏合剂层中的至少一者含有热固性树脂以及固化剂。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体用膜状黏合剂，其中，
所述第1热固化性黏合剂层及所述第2热固化性黏合剂层中的至少一者含有环氧树脂以及咪唑系固化剂。
8.一种半导体用膜状黏合剂，包括：第1热固化性黏合剂层；以及第2热固化性黏合剂层，设置于所述第1热固化性黏合剂层上，其中，
所述半导体用膜状黏合剂在固化后的35℃下的弹性模量为5MPa以下，
所述第2热固化性黏合剂层在探针温度50℃、平台温度25℃下的探针粘性值为60N/cm2以下。
9.一种半导体装置的制造方法，包括：
准备层叠体的工序，所述层叠体包括：一个主面具有连接部的半导体晶片；以及权利要求1至8中任一项所述的半导体用膜状黏合剂，以所述第1热固化性黏合剂层侧的面朝向所述半导体晶片侧的方式设置于所述半导体晶片的所述主面上；
将所述层叠体单片化，获得具有所述连接部的带有膜状黏合剂的半导体芯片的工序；
将所述带有膜状黏合剂的半导体芯片从膜状黏合剂侧进行拾取的工序；以及
将所述带有膜状黏合剂的半导体芯片从膜状黏合剂侧配置于一个主面具有连接部的半导体芯片搭载用基体的设置有所述连接部的所述主面上，通过加热，电连接所述带有膜状黏合剂的半导体芯片的所述连接部与所述半导体芯片搭载用基体的所述连接部的工序。
10.一种半导体装置，其为半导体芯片及半导体芯片搭载用基体各自的连接部相互电连接的半导体装置，
所述连接部的至少一部分由权利要求1至8中任一项所述的半导体用膜状黏合剂的固化物密封。
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