[发明专利]目标材料供应设备和方法

说明书

一种用于供应目标材料的设备，包括储蓄器系统、注入系统以及从注入系统延伸至储蓄器系统的输送系统。储蓄器系统包括与喷嘴供应系统流体连通的储蓄器。注入系统包括限定初级腔的注入室；以及可移除载体，该可移除载体被配置为被容纳在初级腔中。可移除载体限定了次级腔，次级腔被配置为容纳包括目标材料的固体物质。输送系统被配置为提供在注入系统和储蓄器系统之间的流体流动路径。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月25日提交的题为“Target Material Supply Apparatusand Method”的美国申请号62/750,321的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

所公开的主题涉及用于供应目标材料的设备和方法。

背景技术

在半导体光刻(或光刻)中，集成电路(IC)的制造需要在半导体(例如，硅)衬底(也被称为晶片)上执行各种物理和化学过程。光刻曝光设备(也被称为扫描仪)是将期望图案施加到衬底的目标区域上的机器。衬底被固定到平台，使得衬底通常沿由扫描仪的正交X_L和Y_L方向限定的图像平面延伸。衬底被光束照射，光束具有在紫外范围内、有时在可见光和x射线之间的波长，并且因此具有在约10纳米(nm)至约400nm之间的波长。因此，光束可以具有在深紫外(DUV)范围内的波长，例如其中波长可以从约100nm下降到约400nm，或者光束可以具有在极紫外(EUV)范围内的波长，例如其中波长在约10nm至约100nm之间。这些波长范围不精确，并且在将光视为DUV还是EUV之间可能存在重叠。

EUV光在光刻过程中被用于在衬底或硅晶片中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括但不限于利用EUV范围内、等离子态的发射线来将具有例如氙、锂或锡等元素的材料转换。在通常被称为激光产生的等离子体(“LPP”)的一个这样的方法中，所需的等离子体可以通过利用经放大的光束照射目标材料(例如，呈液滴、板材、带材、料流或材料簇的形式)来产生。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测设备而被监视。

发明内容

在一些整体方面，用于供应目标材料的设备包括储蓄器系统、注入系统和输送系统。储蓄器系统包括与喷嘴供应系统流体连通的储蓄器。注入系统包括：限定初级腔的注入室；以及被配置为容纳在初级腔中的可移除载体。可移除载体限定了次级腔，次级腔被配置为容纳包括目标材料的固体物质。输送系统从注入系统延伸到储蓄器系统，并且被配置为提供在注入系统和储蓄器系统之间的流体流动路径。

实现方式可以包括以下特征中的一个或多个。例如，可移除载体可以包括被配置为容纳固体物质的下壁，下壁限定了输送开口，当可移除载体被容纳在初级腔中时，输送开口与输送系统流体连通。下壁可以包括在下壁之上延伸到次级腔中的凸缘，凸缘限定了输送开口的周界，其中下壁的平面在凸缘的平面下方。在使用时，处于流体状态的目标材料可以至少部分由于输送系统而从次级腔中排放，并且在处于流体状态的目标材料被排放之后，处于流体状态的非目标材料可以被捕获在由凸缘和下壁限定的阱中并且防止从次级腔中排放。

输送系统可以包括调节设备，调节设备被配置为控制来自注入系统的流体的流动。注入系统可以包括从注入室延伸的管壁。管壁的内部与以下流体连通：由可移除载体的下壁限定的输送开口，以及输送系统的流体流动路径。调节设备可以包括双阀组件。双阀组件可以包括冷冻阀和闸门阀。闸门阀可以在冷冻阀和储蓄器系统之间，使得目标材料避免与闸门阀的闸门接触。冷冻阀可以包括与管壁热连通的调节温度调整装置。